про параметр level в моделях МОП PSpice
Offтопик:
Для учета различных эффектов в МОП-транзисторе применяется 6 уровней моделей. Схема замещения транзистора для всех уровней остается одной и той же, изменяются только системы уравнений, описывающих транзистор. Уровень модели задается параметром LEVEL.
Модель первого уровня LEVEL=1 применяется в грубых расчетах, когда не требуется высокая точность. Ее основные достоинства и недостатки:
· наименьшее время вычислений;
· не учитывается зависимость подвижности носителей от электрического поля;
· не учитывается подпорогоый режим;
· не учитывается зависимость порогового напряжения от параметров L, W, Vds;
· все емкости рассчитываются упрощенно;
· не учитывается неоднородность легирования.
Модель LEVEL=2 основана на более точных теоретических построениях, однако ряд ее параметров трудно оценить по экспериментальным данным. Модель достаточно сложна и требует больших затрат на моделирование.
Полуэмпирическая модель LEVEL=3 требует меньших вычислительных затрат и ее рекомендуется использовать для расчета МОП-транзисторов с коротким каналом (1-3 мкм).
Для уровня LEVEL=4 используется модель BSIM1 – короткоканальная модель МОП-транзистора. По сравнению с моделью первого уровня учитываются следующие эффекты:
· зависимость подвижности носителей от вертикального поля;
· насыщение скорости носителей;
· зависимость порогового напряжения от напряжения стока;
· распределение заряда обедненной области между стоком и истоком;
· неоднородное легирование для транзисторов, изготовленных с применением ионной имплантации;
· модуляция длины канала;
· подпороговая проводимость;
· зависимость всех параметров от геометрии транзистора.
Модели LEVEL=5 и LEVEL=6 (BSIM3) более точно описывают субмикронные МОП-транзисторы и непрерывно модифицируются.
Социальные закладки