Давайте обсудим ОС и пчел.

[Костя Мусатов]

Что бы не захламлять чужие ветки предлагаю обсуждения наличия и отсутствия ОС обсуждать здесь.

[PSV]

Я помню, что это сопротивление всегда рассматривается как коэффициент усиления активного элемента, а внешние резисторы уже рассматриваются в контексте ООС.

Так rэ2 и будет внешним сопротивлением для Т1

[ИГВИН]

Так rэ2 и будет внешним сопротивлением для Т1

Конэчно ну!

Костя, перечитай мои посты не спеша
Там уже усё написано.

[PSV]

И в любом усилительном приборе с конечной крутизной присутствует внутренняя ООС, причем, чем меньше крутизна, тем глыбже ООС

Зря помираешь от смеха,ты почти прав,только чем больше крутизна,тем глыбже .Её глубина равна 1+RS,где R омическое сопротивление,S крутизна,но глубина её стремится к нулю (ежели в Дб считать),по причине малости R .Но мы сейчас обсуждаем ДК,там она стремится к 6дб.

[Костя Мусатов]

Зря помираешь от смеха,ты почти прав,только чем больше крутизна,тем глыбже .Её глубина равна 1+RS,где R омическое сопротивление,S крутизна,но глубина её стремится к нулю (ежели в Дб считать),по причине малости R .Но мы сейчас обсуждаем ДК,там она стремится к 6дб.

R у второго прибора точно такое же, как и у первого. Если у первого с R глубина близка к 0, то почему при 2R будет 6дБ? Эффективное сопротивление 1/S ведь мы не считаем слева, так зачем оно нам нужно справа

Аргумент №2
При наличии ООС усилительное устройство с квадратичной передаточной характеристикой начинает плодить широкий спектр гармоник в соответствии с расчетами. ДК на двух таких устройствах оказывается линеен и не создает широкого спектра гармоник. Значит ООС в таком ДК нет

[shkal]

Значиться так:
1) Давайте рассмотрим идеальный ДК в малосигнальном приближении. Это значит что: Транзисторы одинаковые:Эффект Эрли не учитываем: Омические сопротивления эмитера и базы не учитываем: Крутизна известна и не меняется
Тогда имеем 2 случая.

1) Входной сигнал между базой и землёй - нессимметричный вход. В этом случае ДК действительно эквивалентен усилителю c ОЭ с сопротивлением R=1/S в эмитере. Если подать входной сигнал dU, то
напряжение в точке соединения эмитеров увеличиться на dU/2, что и указывает на наличие ООС
2) В случае дифференциального входа (между базами) при подаче входного сигнала напряжение в точке соединения эмитеров не изменяется, dUэб тр-ра в положительной полуволне вызывает увеличение его dIk=S1*dUвх, что вызывает уменьшение Ik второго транзистора на ту же величину, точно скомпенсированного отрицательной полуволной dUвх.
Следовательно, OOC через эмитерное сопротивление второго тр-ра здесь нет.

[ИГВИН]

Тогда имеем 2 случая

Тут я вижу ошибку: в обоих случаях сигнал дифференциальный. Синфазный не усиливается .
И как справедливо заметил ранее Yan, выходное сопротивление источника тока столь велико, что его можно не учитывать.
Так что никакой принципиальной разницы между обоими случаями нет.

Если у первого с R глубина близка к 0

Почему близка. rэ присутствует всегда и везде. Не пойму, о чем мы спорим? Не будь rэ, транзистор обладал бы бесконечно большой крутизной.

Омические сопротивления эмитера и базы не учитываем

Тогда это не транзистор.

При наличии ООС усилительное устройство с квадратичной передаточной характеристикой начинает плодить широкий спектр гармоник в соответствии с расчетами. ДК на двух таких устройствах оказывается линеен и не создает широкого спектра гармоник. Значит ООС в таком ДК нет

или расчеты расходятся с практикой
Кстати, квадратичная характеристика дает вторую гармонику.
Она оказывается подавленной (скомпенсированной) и основную роль начинает играть третья, которая много ниже.
Напомню, что уровень гармоник без местных ОС определяется напряжением входного сигнала. Приборы с бОльшей крутизной и искажают больше. Ясно почему. У них внутреннее сопротивление эмиттера (истока) меньше, (потому больше и крутизна) и глубина внутренной оос тоже меньше.

Вообще зря мы так привязались к ДК. С обычным каскадом с ОЭ разобраться бы В нем-то хоть есть ОС или нет???

[PSV]

R у второго прибора точно такое же, как и у первого. Если у первого с R глубина близка к 0, то почему при 2R будет 6дБ? Эффективное сопротивление 1/S ведь мы не считаем слева, так зачем оно нам нужно справа

Костя,я тут несколько постов назад нарисовал эквивалентную схему,посмотри.Там и кое какие расчёты приводил...Представим маленький сигнал (изменение крутизны от тока не учитываем).Поставим вместо rэ2 постоянный резистор.Получаем обычную схему ОЭ с глубиной ОС 6дб.Теперь поставим на место rэ,и пусть оно зависит от тока.ООС никуда не уходит,но rэ меняются в противофазе,и при этом компенсируются чётные гармоники каскада.

Аргумент №2
При наличии ООС усилительное устройство с квадратичной передаточной характеристикой начинает плодить широкий спектр гармоник в соответствии с расчетами. ДК на двух таких устройствах оказывается линеен и не создает широкого спектра гармоник. Значит ООС в таком ДК нет

Это не значит,что нет там ОС.Пока это только вызывает сомнения в постулатах Чивера .Сейчас не готов его обсуждать,надо кое что проверить и ещё раз его перечитать.Давайте вернёмся к Чиверу в ближайшее время,очень интересная тема.

1) Входной сигнал между базой и землёй - нессимметричный вход. В этом случае ДК действительно эквивалентен усилителю c ОЭ с сопротивлением R=1/S в эмитере. Если подать входной сигнал dU, то
напряжение в точке соединения эмитеров увеличиться на dU/2, что и указывает на наличие ООС

Так что резисторы в истоках всё же полезны.Раз ООС всё равно есть,то по Чиверу её глубину надо увеличивать.

2) В случае дифференциального входа (между базами) при подаче входного сигнала напряжение в точке соединения эмитеров не изменяется, dUэб тр-ра в положительной полуволне вызывает увеличение его dIk=S1*dUвх, что вызывает уменьшение Ik второго транзистора на ту же величину, точно скомпенсированного отрицательной полуволной dUвх.
Следовательно, OOC через эмитерное сопротивление второго тр-ра здесь нет.

Правильно,но это справедливо только если крутизна не зависит от тока.Такое не возможно,и как только она начинает зависеть от тока ,напряжение в точке соединения эмитеров начинает изменятся ,и там появляется вторая гармоника (если крутизна приборов одинаковая и одинаково зависит от тока).А вслед за ней появляются и ОСы .

[Костя Мусатов]

Тогда это не транзистор.

Э, ты не путай нас. Rэ - статическое объемное сопротивление эмиттера. Оно практически не меняется от режима. А 1/S - динамическое сопротивление эмиттера, используемое при расчетах. Как такового его не существует. Выходное сопротивление в режиме с ОК определяется усилением прибора и 100% ООС.

Кстати, квадратичная характеристика дает вторую гармонику. Она оказывается подавленной (скомпенсированной) и основную роль начинает играть третья, которая много ниже. Напомню, что уровень гармоник без местных ОС определяется напряжением входного сигнала. Приборы с бОльшей крутизной и искажают больше. Ясно почему. У них внутреннее сопротивление эмиттера (истока) больше, (потому больше и крутизна) и глубина внутренной оос тоже больше. Естественно, при увеличении тока покоя эта внутренняя оос растет (см. посты выше) и передаточная функция линеаризуется.

Да подожди ты брать реальные случаи. Можем мы взять, для теории, очень хороший транзистор с линейно-квадратичной характеристикой, прямо как у Чивера. Поставили резистор ООС и получили широкий спектр. Взяли ДК из двух таких - не получили.

[PSV]

С обычным каскадом с ОЭ разобраться бы

Offтопик:
Нет,пора с Чивером разбираться

[ADDED=PSV]1129235507[/ADDED]

Поставили резистор ООС и получили широкий спектр. Взяли ДК из двух таких - не получили.

Это из практики,измерения?Скорее всего это потому,что ДК по своей природе компенсирует чётные гармоники,потому что крутизна меняется дифференциально.А нечетных мало,характеристика же квадратичная.

[Костя Мусатов]

Костя,я тут несколько постов назад нарисовал эквивалентную схему,посмотри.Там и кое какие расчёты приводил...Представим маленький сигнал (изменение крутизны от тока не учитываем).Поставим вместо rэ2 постоянный резистор.Получаем обычную схему ОЭ с глубиной ОС 6дб.Теперь поставим на место rэ,и пусть оно зависит от тока.ООС никуда не уходит,но rэ меняются в противофазе,и при этом компенсируются чётные гармоники каскада

Сергей, я не согласен с этой схемой. Сопротивление 1/S - надуманное. В эквивалентной схеме, когде его заменили на R, ООС конечно есть на 6дБ. Но это сопротивление введено нами как эквивален выходного сопротивления каскада с ОК.
На самом деле, вся теория ООС - математическия модель Ведь можно получить теже результаты не прибегая к понятиям ООС, а влоб расчитывая работу схемы. Теория обратных связей жестко привязана к пониманию точки отсчета. Меняем точку отсчета (сигнал снимаем не относительно земли, а парафазно или относительно входа) и меняется все ООС может стать ПОС или исчезнуть. При этом функционирование схемы не изменяется, а изменяется внешний вид формул.
Вот и у нас получается, что, в зависимости от направления взгляда, и от допущений или понятий мы приходим к тому, что ООС то есть, а то нет

[PSV]

Но это сопротивление введено нами как эквивален выходного сопротивления каскада с ОК.

Костя но на нём же падает напряжение так же(почти),как и на обычном резисторе.ООС по напряжению управляемая током работает.Первый транзистор же не догадывается,что ему подсунули вместо R - 1/s .

[ИГВИН]

Э, ты не путай нас. - статическое объемное сопротивление эмиттера. Оно практически не меняется от режима. А 1/S - динамическое сопротивление эмиттера, используемое при расчетах. Как такового его не существует. Выходное сопротивление в режиме с ОК определяется усилением прибора и 100% ООС.

Полез в книжки уже

Цитирую то ли Хоровица, то ли Хилла:
... Возьмем производную от Uбэ по Ik: rэ=Ut/Ik, что приближенно равно rэ=25/Ik Ом, где ток коллектора в mA. Величина 25/Ik соответствует комнатной температуре. Это СОБСТВЕННОЕ сопротивление эмиттера rэ выступает в качестве последовательного для эмиттерной цепи ВО ВСЕХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СХЕМАХ. Оно ограничивает усиление усилителя с заземленным эмиттером, приводит к тому, что коэффициент усиления эмиттерного повторителя имеет значение чуть меньше единицы и не позволяет выходному сопротивлению эмиттерного повторителя стать равным нулю. Этот параметр относится к параметрам малого сигнала. Отметим, что крутизна для усилителя с заземленным эмиттером определяется следующим образом: S=1/rэ.

Костя, видишь свою ошибку? кстати, Rэ обычно обозначают просто резистор местной ООС.

[Костя Мусатов]

Костя, видишь свою ошибку? кстати, Rэ обычно обозначают просто резистор местной ООС.

Не не вижу. Я же написал то же самое. В более детальных описаниях работы транзистора разделяют его на статичекое и динамическое. В Хорвице только динамическое.
Если наш транзистор представлять как транзистор с бесконечным усилением и таким сопротивлением в эмиттере, то и в простом каскаде с ОЭ ООС будет. Получается, что отрисовывая эквивалентные схемы мы ООС найдем в любой схеме. Но если мы вставляем в схему транзистор как есть и говорим, что в каскаде ОЭ ООС нет, то почему мы в других транзисторах нашей схемы не поступаем так же?

[ADDED=Костя Мусатов]1129238895[/ADDED]

Первый транзистор же не догадывается,что ему подсунули вместо R - 1/s

Еще как догадывается, ведь поведение этого "резистора" совсем не резистивное

[ИГВИН]

Но если мы вставляем в схему транзистор как есть и говорим, что в каскаде ОЭ ООС нет, то почему мы в других транзисторах нашей схемы не поступаем так же?

Ну тогда это просто вопрос терминологии.

Получается, что отрисовывая эквивалентные схемы мы ООС найдем в любой схеме.

Так и есть.

то и в простом каскаде с ОЭ ООС будет

будет. В схеме с заземленным эмиттером. И с незаземленными в ДК тоже. Я же сразу сказал - неотъемлемая часть .

Надеюсь, наша дискуссия принесет кому-то пользу .

[ИГВИН]

Чтобы окончательно прояснить вопрос, еще умных людей поцитирую :

Хоровиц и Хилл. Эмиттерный резистор в качестве элемента обратной связи.
Если к собственному сопротивлению эмиттера добавить сопротивление внешнего эмиттерного резистора (Rэ), то многие параметры усилителя с общим эмиттером улучшаются, правда за счет снижения коэффициента усиления. Аналогичное явление рассматривается в следующих двух главах (постить не буду! ), посвященных использованию отрицательной обратной связи, позволяющей улучшить характеристики усилителя за счет частичной передачи выходного сигнала на вход. Это не простое совпадение, дело в том, что в усилителе с общим эмиттером используется одна из форм отрицательной обратной связи. Представим себе, что транзистор - это элемент с передаточной крутизной, в котором коллекторный ток (а следовательно, и выходное напряжение) зависит от напряжения, действующего между базой и землей. Входное напряжение представляет собой напряжение между эмиттером и базой минус напряжение, равное Iэ*Rэ. Следовательно, в схеме с общим эмиттером действует отрицательная обратная связь, и благодаря этому улучшаются характеристики усилителя (высокая линейность и стабильность, большой входной импеданс; выходной импеданс можно уменьшить, если ввести обратную связь непосредственно с коллектора). Это лишь первое знакомство с обратной связью... Конец цитаты.

Если вспомнить, что коэффициент усиления ДК без Rэ вдвое меньше Ку усилителя с заземленным общим эмиттером, то мы и увидим увеличение оос вдвое, как показал Сергей PSV.

[PSV]

Еще как догадывается, ведь поведение этого "резистора" совсем не резистивное

Да зависит от тока,и у полевиков тоже.Но это суть не меняет,ООС всё равно есть.Появляется механизм компенсации.

[Olegyurich]

Боже мой как все сложно! У меня тоже вопрос: откуда в усилителе с заземленным эмиттером ОО?Я думал, что глубина оос - это отношение падения напряжения на эмиттерном резисторе к 26 мВ, и соответственно не резистора, нет и ОС.

[ИГВИН]

У меня тоже вопрос: откуда в усилителе с заземленным эмиттером ООС?

Привет, Олег!
Почитай сначала, со вкусом, толком, с расстановкой .
Задай себе вопросы, постарайся сам ответить.
Не получится, разберемся все вместе .

[Olegyurich]

да вроде почитал, насчет ДК, я согласен, что 6дБ, но в ОЭ то где, за счет чего? Или имеется в виду по сравнению с rэ=0?

[PSV]

Я думал, что глубина оос - это отношение падения напряжения на эмиттерном резисторе к 26 мВ, и соответственно не резистора, нет и ОС.

Не совсем так.rэ ещё зависит от тока,соответственно и глубина ООС.Посчитай усиление ОЭ с резистором и без.Потом раздели одно на другое,получишь глубину.Посмотри выше,я приводил формулы.А то что нет резистора -нет ООС,это верно.Но что нет резистора,можно сказать только с некоторыми допущениями.