Собираем сверхлинейный усилитель Сергея Агеева.

[Эзотехник]

Транзисторный усилитель с глубокой ООС и ОУ на входе. См. журнал "Радио" №10-12 за 1999 г. и №1,2,4-6,9-11 за 2000 г.

[Валет]

Аналогично выводу формулы про сопротивление параллельно подключенных резисторов.

Эта формула имеет очень узкую область применимости, она справедлива при эффективной схеме выравнивания токов коллекторов параллельных транзисторов (в ВК за счет эмиттерных резисторов), когда общий ток делится строго поровну между транзисторами. Практическое ее значение (в т.ч.) для вопроса

Насколько усилитель терпит разброс коэффициент усиления транзисторных пар в УН , драйвере , выходных. Разброс в 2 раза сильно плохо?

нулевое, поскольку погрешность результата вычисления из-за лишь частичного соблюдения этого условия меньше практического разброса бета транзисторов.

Для ответа этот на вопрос имеет значение каким критерием оценивать влияние разброса бета. Таким критерием может быть допустимая граница по каким-либо режимам (например, рассеиваемой мощности) или параметрам (например, изменением частотных свойств). Но для ВК с большим количеством транзисторов в нем заморачиваться этим вопросом, имхо, вообще не стоит: невероятно чтобы параметры транзисторов подобрались так, чтобы режим одного из них вышел за допустимые границы. Тем более, что разброс параметров транзисторов ВК способствует, по мнению автора, более плавному переключению плеч.

[mellowman]

. Тем более, что разброс параметров транзисторов ВК способствует, по мнению автора, более плавному переключению плеч.

Vbe — это не бета. И их разброс тоже разному способствует, по мнению автора, которое изложено удивительно доступно

[Валет]

Vbe — это не бета.

Этточно?

И их разброс тоже разному способствует, по мнению автора, которое изложено удивительно доступно

Время прохождения их разброса (десятки мВ) сигналом (размах десятки В) существенно меньше времени переходного процесса коммутации плеч. Поэтому их разброс или не будет заметен на переходном процессе, или в некоторых усях будет заметен по небольшому смазу переходного процесса.

[err_serhio]

Я наткнулся на такие транзисторы. TTC004B TTA004B. По-моему отличные кандидаты на предвыход вместо 2sd669 и 2sb649. И оригиналы спокойно можно купить в диджикее.

Также как насчет TTC015B и TTA008B (150Mhz, 2/4A, 80V, 14pF). Кто-то их вообще рассматривал как вариант?

[sia_2]

К сожалению, ОБР у них - ....
Не, понятно, что если припрет, перекроить можно почти на что угодно...

[Валет]

заявленная для СЛА частота единичного усиления по петле ООС около 6...7. МГц. Прикидки подтверждают, что к этой частоте она действительно снижается практически до единицы.

Я просмотрел в СЛА еще одну цепь коррекции на запаздывание - R25C16, которая снижает петлевое усиление на частотах выше 1 МГц на 4…5 дБ. А начинается это снижение с частоты примерно 100кГц. Это означает, что частота единичного усиления СЛА ниже и соответствует скорее указанной в посте

По видимому не всё так просто. Иначе это приводило бы к нулю, который был бы явно виден на графике петлевого усиления.А полоса петлевого усиления без проблем расширялась бы до 30-40Мгц. Вместо 2-5Мгц

[sia_2]

Offтопик:
нет, эти 4-5 дБ частично компенсируют подъем АЧХ выходного каскада - на частотах выше 1 МГц он имеет коэффициент передачи больше 1, и на ~15 МГц даёт пик +7...9 дБ. Вид и величина этого подьема управляются выбором типов транзисторов и базовыми резисторами в выходном каскаде, настройка достаточно тонкая, настраивается только в реальном железе, симулятор в этом отношении без очень хитрых моделей сильно врет.

[Валет]

Offтопик:
нет, эти 4-5 дБ частично компенсируют подъем АЧХ выходного каскада - на частотах выше 1 МГц он имеет коэффициент передачи больше 1, и на ~15 МГц даёт пик +7...9 дБ. Вид и величина этого подьема управляются выбором типов транзисторов и базовыми резисторами в выходном каскаде, настройка достаточно тонкая, настраивается только в реальном железе, симулятор в этом отношении без очень хитрых моделей сильно врет.

Ваш ВК представляет собой три последовательно включенных эмиттерных повторителя, каждый из которых имеет коэффициент передачи менее единицы. В связи с этим возникают вопросы:

- Каков механизм подъема АЧХ в вашем ВК? Как вы объясните работу ВК при коэффициенте передачи больше 1, если при этом эмиттерные переходы входящих в него транзисторов смещены в запирающем направлении разницей напряжений между эмиттером выходного транзистора и базой первого?

- Каким образом и за счет чего образуется пик +7...9 дБ на ~15 МГц, учитывая частотные свойства выходных транзисторов?

- Как измерить этот пик, каким образом осуществляется его тонкая настройка? Как влияют на него разброс параметров транзисторов ВК и особенности монтажа в реальном железе?

- Что вы посоветуете по настройке ВК в реальном железе тем, кто повторяет ваш усилитель?

PS. Перечисленные вопросы перекликаются также и с этим вопросом.

[xopc]

Перечисленные вопросы перекликаются также и с этим вопросом.

У меня нашлась модель мини СЛ, можете посмотреть график. Сейчас работает ВК от СЛ в другом усилителе, очень хороший ВК лучший из троек.

[sia_2]

Ваш ВК представляет собой три последовательно включенных эмиттерных повторителя, каждый из которых имеет коэффициент передачи менее единицы. В связи с этим возникают вопросы:

- Каков механизм подъема АЧХ в вашем ВК? Как вы объясните работу ВК при коэффициенте передачи больше 1, если при этом эмиттерные переходы входящих в него транзисторов смещены в запирающем направлении разницей напряжений между эмиттером выходного транзистора и базой первого?

- Каким образом и за счет чего образуется пик +7...9 дБ на ~15 МГц, учитывая частотные свойства выходных транзисторов?

- Как измерить этот пик, каким образом осуществляется его тонкая настройка? Как влияют на него разброс параметров транзисторов ВК и особенности монтажа в реальном железе?

- Что вы посоветуете по настройке ВК в реальном железе тем, кто повторяет ваш усилитель?

PS. Перечисленные вопросы перекликаются также и с этим вопросом.

Возможность образования ВЧ подъема АЧХ - общее свойство эмиттерных (а также катодных и истоковых) повторителей.
Данные вопросы довольно подробно рассмотрены вот в этой теме: https://forum.vegalab.ru/showthread.php?t=80186

[xopc]

Каким образом и за счет чего образуется пик +7...9 дБ на ~15 МГц, учитывая частотные свойства выходных транзисторов?

Цобель за катушкой ВК стоит.

[Валет]

Возможность образования ВЧ подъема АЧХ - общее свойство эмиттерных (а также катодных и истоковых) повторителей.
Данные вопросы довольно подробно рассмотрены вот в этой теме: https://forum.vegalab.ru/showthread.php?t=80186

Единственным упоминанием о подъеме АЧХ и о коэффициент передачи больше единицы по вашей ссылке является ваш же пост (№37), но он также бездоказателен, как и в этой ветке. А между тем, когда

симулятор в этом отношении без очень хитрых моделей сильно врет.

обоснование, объяснение этого феномена, а не голословное утверждение, тем более необходимо, особенно, если оно исходит от грамотного специалиста, а не дилетанта. Да и в любом случае понимание работы схемы полезно, вместо того, чтобы просто отделываться симулятором. Особенно вот это:

Как вы объясните работу ВК при коэффициенте передачи больше 1, если при этом эмиттерные переходы входящих в него транзисторов смещены в запирающем направлении разницей напряжений между эмиттером выходного транзистора и базой первого?

Ведь это означает отсутствие тока в базы транзисторов ВК, вследствие чего не может быть тока и на его выходе. Получается абсурд: напряжение на нагрузке в таком режиме имеется при отсутствии в ней тока.
Или я ошибаюсь?

Так что все вопросы в моем предыдущем посте пока в подвешенном состоянии. А следовательно, то же и с вопросом о частоте единичного усиления СЛА по петле ООС.

Цобель за катушкой ВК стоит.

Речь идет о ВК, выходом которого является точка соединения эмиттерных резисторов.

[bukvarev]

https://drive.google.com/file/d/1wiE...ew?usp=sharing
стр. 109-112.

[Валет]

https://drive.google.com/file/d/1wiE...ew?usp=sharing
стр. 109-112.

Согласно формуле 7.27 в выходной импеданс транзистора входит Lвых.т, в основном это индуктивность вывода эмиттера. Но она имеет ничтожную величину (десятки наноГн максимум для мощных транзисторов) и имеет значение для ВЧ транзисторов в ВЧ устройствах. Практически ее учитывают в устройствах, начиная с диапазона метровых волн. Транзисторы, предназначенные для работы на этих и более высоких частотах часто имеют специальную конструкцию с уменьшенной индуктивностью выводов. Для низкочастотных транзисторов она не критична и не нормируется.

Рост напряжения на выходе эмиттерного повторителя из-за влиянию индуктивности эмиттера имеет место только при наличии емкостной составляющей нагрузки (стр.112), чего нет в СЛА. В нем емкость нагрузки отсекается дросселем L1. Поэтому в СЛА роста выходного напряжения на выходе ВК не может быть при любой величине индуктивности эмиттера.

Так что вопросы по СЛА не сняты.

---------- Сообщение добавлено 11:39 ---------- Предыдущее сообщение было 11:06 ----------

Offтопик:
А вообще рост напряжения на выходе я наблюдал в своем усе, когда измерял искажения на чисто емкостной нагрузке 2,2 мкФ на частоте 20 кГц. При этом индуктивное сопротивление выхода (измеренное на выходных терминалах - 0,7мкГн) компенсировало часть емкостного сопротивления нагрузки, ток увеличивался и напряжение на нагрузке подскакивало. Непосредственно на выходе ВК, до выходного дросселя, никаких подскоков, ясное дело, не могло быть из-за малой величины индуктивности эмиттера выходных транзисторов.

[bukvarev]

Да, у мощных НЧ транзисторов постоянная цепи обратной связи на ВЧ не нормируется, и в спецификации не приводится. К сожалению.
Однако, приближенно можно оценить выходную индуктивность с использованием информации о граничной частоте транзистора и сопротивлении в цепи базы (включая объемное сопротивление самой базы). При частоте 5 МГц и суммарном сопротивлении rб=2 Ом имеем Lвых~0,2 мкс*2 Ом = 0,4 мкГн. Что значительно больше, чем индуктивность вывода транзистора.
Такая индуктивность дает совместно с емкостью нагрузки (а это, как минимум, два соединенных параллельно перехода к-э выходных транзисторов, пусть будет 600 пФ), резонанс в районе 10 МГц. И при сопротивлении нагрузки в 4 Ома добротность может достигнуть 6.
Аппаратно эти эффекты в большей степени начинают проявляться с улучшением качества конструктивного исполнения печатной платы, когда минимизирован импеданс цепей питания в широкой полосе.

ЗЫ.
Из приведенной литературы лично мне было очень интересно в свое время сделать вывод о том, что добавление резистора в цепь базы ЭП может усугубить ситуацию, поскольку увеличивается выходная индуктивность, что при сохранении значения выходной емкости формально приводит к увеличению добротности контура. Но одновременно с этим также увеличивается и выходное сопротивление каскада. И тут нужно смотреть аппаратно, выбрав также и режим рабочего тока каскада (с уменьшением величины рабочего тока повышается выходное сопротивление ЭП и увеличивается значение выходной индуктивности .

[Валет]

При частоте 5 МГц и суммарном сопротивлении rб=2 Ом имеем Lвых~0,2 мкс*2 Ом = 0,4 мкГн. Что значительно больше, чем индуктивность вывода транзистора.

Даже если ваши расчеты соответствуют истине, они определяют работу транзистора на частотах, где уже падает усиление и увеличивается выходное сопротивление, в т.ч. зависящее от импеданса источника сигнала. Ваша индуктивность лишь демонстрирует инерционность транзистора на этих частотах и является мерой определения запаздывания фазы сигнала на этих частотах (и косвенно мерой скорости уменьшения усиления). К тому же эта виртуальная индуктивность, она не может привести к усилению ВК более единицы, т.к. это привело бы к закрыванию эмиттерного перехода.

Такая индуктивность дает совместно с емкостью нагрузки (а это, как минимум, два соединенных параллельно перехода к-э выходных транзисторов, пусть будет 600 пФ), резонанс

Нет в транзисторе перехода к-э, соответственно и нет такой емкости. Это ваши фантазии.
С эквивалентными схемами транзистора вы можете ознакомиться здесь. Их вы можете использовать и для анализа работы эмиттерного повторителя.

PS. Этот ваш пост заставляет усомниться в целесообразности продолжения разговора.

[olegk]

Вот измерения моего ВК (вариант СЛ), без выходного дросселя на 3 ома, подключенных прямо к плате ( без кабеля)

[-UST-]

Offтопик:

Offтопик:

без выходного дросселя на 3 ома

Попробуйте убрать нагрузку или увеличить сопротивление. По идее монотонный фазовый сдвиг должен уменьшиться, а пик АЧХ подрасти.

[BesPav]

Ваш ВК представляет собой три последовательно включенных эмиттерных повторителя, каждый из которых имеет коэффициент передачи менее единицы

А где обязательные оговорки?
- по напряжению
- при питании от источника напряжения
- на частотах << fT

Каков механизм подъема АЧХ в вашем ВК?

Резонансная накачка низкодобротного контура. Это, кстати, хорошо видно на коротких импульсах с синусоидальным заполнением.

Каким образом и за счет чего образуется пик +7...9 дБ на ~15 МГц, учитывая частотные свойства выходных транзисторов?

Читайте про генератор Колпитца. Механизм +-тот же.

Как измерить этот пик, каким образом осуществляется его тонкая настройка

Изменением величины базовых резисторов третьей ступени повторителя.

[Валет]

Вот измерения моего ВК (вариант СЛ)

Полоса усиления (-3дБ) менее 2-х МГц и возбуждение (или склонность) на частоте 10 МГц?
Схему и методику измерений можете привести?

Читайте про генератор Колпитца. Механизм +-тот же.

Читайте про режимы транзистора в генераторе Колпитца. Сравните с э.п. (Надеюсь, все понятно, ведь комментарий в вашем стиле)

PS. Весь ваш пост представляет собой набор слов без смысла и явной цели. Больше такие комментировать не буду.