никто не пробовал?
собственно, вопрос в том, есть ли смысл попробовать сделать T/H на рассыпухе с погрешностью меньшей, или соответствующей динамическим погрешностям ЦАПов вроде pcm1704 (или pcm63 и иже с ними) с целью уменьшения влияния переходных процессов в резистивной матрице. на первый взгляд задача кажется нетривиальной и не заслуживающей внимания, так как в таких ЦАПах и так предприняты меры, способствующие уменьшению влияния инжекции заряда в ключах, коммутирующих резистивную матрицу. и, как правило, на кристалле можно добиться большего, чем на рассыпухе.
однако есть ряд схемотехнических решений T/H, основанных на полностью дифференциальных ОУ с согласованными ключами. мне сейчас сложно, на вскидку, оценить погрешность этого класса схем. поэтому и задаю вопрос тем, кто, возможно, интересовался данным вопросом
Социальные закладки