Хочу поделиться схемой хорошего усилителя.

**SergVKS** · 26.03.2005, 15:19

http://www.powergood.boom.ru/
Последняя версия схемы в разделе сборка в пдф.

**sia_2** · 11.08.2005, 18:28

Коротко о каскадах ОЭ-ОБ и ОК-ОБ. На низких частотах они практически идентичны, но вот с ростом частоты начинает сказываться одно важное обстоятельство. В каскаде ОЭ-ОБ ДВА пути сигнала - ток рекомбинации инжектируемых эимиттером носителей заряда (попросту говоря, "рабочий" ток коллектора транзистора), управляемый напряжением база-эмиттер, и емкостной ток через емкость коллектор-база. На высоких частотах они практически противофазны, что приводит к образованию нуля передаточной функции в правой полуплоскости, а, следовательно, к снижению усиления и избыточному фазовому сдвигу. Линейность при этом также ухудшается из-за того, что емкость коллектор-база существенно нелинейна. В структуре же ОК-ОБ эти эффекты не оказывает влияния на выходной ток, следствием чего и оказываются лучшие характеристики по линейности и фазовому сдвигу. Физика тут простая. А моделировать надо аккуратнее, тогда и результат будет много ближе к реальному.

**Л. Зуев** · 11.08.2005, 21:53

Сообщение от sia_2

Коротко о каскадах ОЭ-ОБ и ОК-ОБ. На низких частотах они практически идентичны

С этим я не согласен. При одинаковом эмиттерном токе и сопротивлении эмиттерного резистора, выбранном исходя из одинаковой крутизны каскадов глубина местной ООС в ОК-ОБ будет почти в два раза меньше, чем в ОЭ-ОБ. Поэтому линейность ОК-ОБ будет хуже. Симуляторы эту разницу показывают.

Сообщение от sia_2

В каскаде ОЭ-ОБ ДВА пути сигнала - ток рекомбинации инжектируемых эимиттером носителей заряда (попросту говоря, "рабочий" ток коллектора транзистора), управляемый напряжением база-эмиттер, и емкостной ток через емкость коллектор-база. На высоких частотах они практически противофазны, что приводит к образованию нуля передаточной функции в правой полуплоскости, а, следовательно, к снижению усиления и избыточному фазовому сдвигу. Линейность при этом также ухудшается из-за того, что емкость коллектор-база существенно нелинейна.

Это я оспаривать не буду. Но существенен ли этот эффект в усилителе с полосой действия ОООС несколько мегагерц при использовании современных высокочастотных биполярных транзисторов, имеющих емкость коллекторного перехода единицы пикофарад? Ведь при такой емкости и сопротивлении эмиттерной цепи транзистора с ОЭ десятки - сотни Ом этот нуль будет располагаться на частотах сотни мегагерц. Кроме того полюс, который образует эта же емкость совместно с сопротивлением базовой цепи входного транзистора и в ОЭ-ОБ и в ОК-ОБ будет гораздо более заметен, потому как располагается он обычно по частоте в десятки раз ниже. OrCAD, например, при использовании встроенных моделей транзисторов 2N3904/2N3906 показывает проигрыш в линейности ОК-ОБ по сравнению с ОЭ-ОБ даже на частоте 10МГц.

На этот момент можно взглянуть еще и с другой стороны.

Для построения инвертирующего усилителя (с целью последующего его охвата ОООС) обязательно нужен каскад с ОЭ. В классической схеме этот ОЭ находится во втором каскаде УН, а в усилителе Ярослава - в первом. Поэтому эффект "обхода" сигналом транзистора через емкость коллекторного перехода проявится в любом случае - не во втором, так в первом каскаде.

**=YVT=** · 11.08.2005, 23:43

Сообщение от Л.Зуев

Поэтому эффект "обхода" сигналом транзистора через емкость коллекторного перехода проявится в любом случае - не во втором, так в первом каскаде.

Вы не учитываете постоянного напряжения приложенного к переходам транзисторов ОЭ.
В моем усилителе это напряжение для транзисторов диффкаскада составляет без малого
50В и емкость при этом оказывается значительно ниже, чем она была бы во втором
каскаде, будь там структура ОЭ-ОБ. Напряжение к-э в ОЭ будет примерно 2.2в

Это одна из причин, почему я не закаскодил транзисторы диффкаскадов.
Модели 2N3904 поставляемые с EWB глючные, возможно они же и в OrCad.

**sia_2** · 12.08.2005, 17:51

Сообщение от Л. Зуев

С этим я не согласен. При одинаковом эмиттерном токе и сопротивлении эмиттерного резистора, выбранном исходя из одинаковой крутизны каскадов глубина местной ООС в ОК-ОБ будет почти в два раза меньше, чем в ОЭ-ОБ. Поэтому линейность ОК-ОБ будет хуже. Симуляторы эту разницу показывают..

Это есть, но разница реально, с учетом нелинейности выходного сопротивления УН и входного сопротивления ОК, невелика (меньше 2 раз). Просто на практике доминирующий источник низкочастотной нелинейности УН - как правило, нелинейность R нагрузки.

Сообщение от Л. Зуев

Это я оспаривать не буду. Но существенен ли этот эффект в усилителе с полосой действия ОООС несколько мегагерц при использовании современных высокочастотных биполярных транзисторов, имеющих емкость коллекторного перехода единицы пикофарад? Ведь при такой емкости и сопротивлении эмиттерной цепи транзистора с ОЭ десятки - сотни Ом этот нуль будет располагаться на частотах сотни мегагерц. Кроме того полюс, который образует эта же емкость совместно с сопротивлением базовой цепи входного транзистора и в ОЭ-ОБ и в ОК-ОБ будет гораздо более заметен, потому как располагается он обычно по частоте в десятки раз ниже. OrCAD, например, при использовании встроенных моделей транзисторов 2N3904/2N3906 показывает проигрыш в линейности ОК-ОБ по сравнению с ОЭ-ОБ даже на частоте 10МГц..

Там проблема с моделями - не учтены реальные Rб, Rк, да и емкости не всегда указаны. Вообще, "бесплатные" модели от производителя, как правило, годны только для примерной оценки режима по постоянному току. Если же нужно считать реальные цифры, необходимо делать свои модели, промеряя транзисторы конкретного поставщика (нередко они достаточно сильно разнятся, например, 2N5401 от Toshiba, Fairchild и Zetex по емкостям отличаются почти впятеро).

Сообщение от Л. Зуев

На этот момент можно взглянуть еще и с другой стороны.

Для построения инвертирующего усилителя (с целью последующего его охвата ОООС) обязательно нужен каскад с ОЭ. В классической схеме этот ОЭ находится во втором каскаде УН, а в усилителе Ярослава - в первом. Поэтому эффект "обхода" сигналом транзистора через емкость коллекторного перехода проявится в любом случае - не во втором, так в первом каскаде.

Есть такое.
По ряду причин инвертирующим для сигнала ООС часто практичнее все же делать первый, а не второй каскад (сигналы там все-таки поменьше

). Поэтому хитрые разработчики ОУ иногда вводят во входной дифкаскад "нейтрализирующие" емкости в виде перекрестно подключенных коллекторно-базовых переходов, аналогичных "рабочим".

**Л. Зуев** · 12.08.2005, 18:43

Сообщение от sia_2

Просто на практике доминирующий источник низкочастотной нелинейности УН - как правило, нелинейность R нагрузки.

Это да. Но и выходное сопротивление самого каскада в случае ОК-ОБ примерно равно F*Uy/Iк (десятки-сотни килоом), а в случае ОЭ-ОБ - beta*Uy/Iк (сотни килоом - мегаомы). Разница существенна даже на фоне входного сопротивления тройки. Здесь F - глубина местной ООС, Uy - напряжение Эрли, Iк - ток коллектора.

[ADDED=Л. Зуев]1123857826[/ADDED]

Сообщение от sia_2

По ряду причин инвертирующим для сигнала ООС часто практичнее все же делать первый, а не второй каскад (сигналы там все-таки поменьше ).

С индуктивной коррекцией в первом каскаде может быть наоборот.

**DigBit** · 13.08.2005, 05:10

Размышления над постом 323

Главное даже не в том, что проходная емкость будет меньше, примерно
в три раза, а в том, что наличие столь высокого постоянного напряжения
смещения(б-к)существенно линеаризирует проходную емкость по отношению
к ее девиации малыми переменными напряжениями действующими на ней.
Из приведенного графика (BC556B от ONSEMI) видно, что при постоянном
напряжении к-б 2В ее дополнительное изменение усиливаемым сигналом -1В
приведет к изменению этой емкости на 2 пФ, при напряжении смещения даже
не 50, а 30 В, для изменения этой емкости на 0.25 пФ понадобится уже -10В
полезного сигнала, добавленного к напряжению смещения. Для наглядности
полезный сигнал это тоже некое отрицательное постоянное напряжение, но
смысл, думаю понятен.

**Л. Зуев** · 14.08.2005, 21:41

Так на каких же частотах линейность УН по схеме Ярослава начнет преобладать над линейностью УН с ОК-ОБ в первом каскаде и ОЭ-ОБ во втором? Хотелось бы увидеть обоснованные цифры - полученные на основе выкладок, а не моделированием в EWB. Интересно все-таки насколько существенен этот выигрыш в данном применении.

**Anr** · 06.09.2005, 13:21

Немного отклонились от темы - обсуждение данного усилителя SergVKS

Хотелось бы услышать сравнение его с усилителем Л.Зуева или WP. Спасибо

WP · 06.09.2005, 17:35

Сообщение от Anr

Немного отклонились от темы - обсуждение данного усилителя SergVKS Хотелось бы услышать сравнение его с усилителем Л.Зуева или WP. Спасибо

Понимаешь это сильно кастрированная версия усилителя который я раньше предлагал.

**Anr** · 06.09.2005, 20:45

Согласен - сильно кастрирован! Но остался практически неизменный вход, а ссылаясь на Вас же (WP) выход определяет в гараздо меньшей степени качество звука. К тому же киловаты дома редко нужны... Т.ч. как он будет (должен) звучать? Никак не могу определиться на чем остановиться... Спасибо.

**DDDD** · 08.01.2008, 22:59

Help, есть ли у кого проверенная печатка к усю Токарева, поделитесь пожалуйста.
Хотелось бы услышать мнение тех, кто его собирал, как он в сравнении с другими, капризен ли в наладке. Из первого поста усил вроде тоже не плох...

**=YVT=** · 13.05.2008, 22:33

Сообщение от DDDD

Help, есть ли у кого проверенная печатка к усю Токарева, поделитесь пожалуйста.
Хотелось бы услышать мнение тех, кто его собирал, как он в сравнении с другими, капризен ли в наладке. Из первого поста усил вроде тоже не плох...

пожалуйста.

SMD-n · 13.05.2008, 23:10

Сообщение от DDDD

как он в сравнении с другими, капризен ли в наладке.

- Ты это, зайди таки в профиль ответившему =YVT= , почитай...

Будешь приятно удивлен.

**Radiolink** · 06.06.2008, 20:09

Извените, что не совсем по теме, но не хотелось создавать новую ветку из-за двух вопросов!

1) Кто собирал этот усилитель (смотрите вложение), как он себя показал?
2) Что посоветуете на замену 4х диодов BY550-50? (U=50V, I=5A) нигде не могу их найти..
P. S.
Делаю для саба!!!

**m01971** · 06.06.2008, 23:46

HER508 или подобные.... а вообще схема HER....

**Radiolink** · 07.06.2008, 00:35

Сообщение от m01971

HER508 или подобные.... а вообще схема HER....

Спасиб..

Ты собирал по этой схеме? Мне для саба, стараюсь сделать как можно компактней! У меня есть готовый Усков, но мне не нравится как он работает, вобще думаю его разобрать..

**Dieselboy** · 07.06.2008, 18:27

Сообщение от Radiolink

Что посоветуете на замену 4х диодов BY550-50? (U=50V, I=5A)

50SQ100 (осевой) или 8TQ100 (TO-220). Обычно там диоды не ставят, поставьте меньший номинал эмиттерных сопротивлений (0,1-0,2 Ома), ватта на 2.

P.S. Напирмер, для защиты ставят параллельно выходникам в обратном включении.