Показано с 1 по 19 из 19

Тема: Расширение ОБР транзисторов ВК

  1. #1
    Завсегдатай
    Автор темы
    Аватар для kobarr
    Регистрация
    07.11.2007
    Адрес
    Иркутская обл. г. Братск
    Сообщений
    1,171

    По умолчанию Расширение ОБР транзисторов ВК

    Допустим имеется трансформатор, обмотки которого могут обеспечить только одноуровневое питание, например 2х80 вольт. И соответственно после выпрямителя 2х110.

    Есть-ли способ расширения ОБР транзисторов выходного каскада в данном случае? Тепловыделение не брать во внимание.

    В некоторых схемах увидел последовательное соединение маломощных транзисторов, например Крок. Возникла мысль сделать так ВК. Моё представление этого на картинке.

    Offтопик:
    просьба, строго не судить.


    Это обеспечит расширение по ОБР?

    ...
    Миниатюры Миниатюры Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	ыы.JPG 
Просмотров:	545 
Размер:	19.3 Кб 
ID:	32828  
    Последний раз редактировалось kobarr; 25.06.2008 в 12:50.

  2. #2
    Завсегдатай
    Автор темы
    Аватар для kobarr
    Регистрация
    07.11.2007
    Адрес
    Иркутская обл. г. Братск
    Сообщений
    1,171

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    эээ...

  3. #3
    Завсегдатай Аватар для antiluser
    Регистрация
    15.06.2008
    Адрес
    Челябинск
    Возраст
    49
    Сообщений
    3,068

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    На практике применяют параллельное включение транзисторов, это дает не только уменьшение Pк на каждом транзисторе, но и другие преимущества. Много об этом есть в ветке о сверхлинейном С. Агеева.

  4. #4
    Завсегдатай
    Автор темы
    Аватар для kobarr
    Регистрация
    07.11.2007
    Адрес
    Иркутская обл. г. Братск
    Сообщений
    1,171

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    antiluser, всё верно, однако сдесь нескалько иное.

    Поясню почему интересует именно это. Выше писал, что трансформатор не "даёт" организовать ВК с двухуровневым питанием, которое, какраз позволяет (кроме всего прочего) расширить ОБР транзисторов и уменьшить их количество.

    В случае с одноуровневым питанием, для меня, терпеть количество запаралеленых транзисторов на нагрузку 2 ом, без каординального изменения схемы выходного каскада, можно только вольт до 2х70.
    Для надёжной работы без выхода за ОБР при напряжении 2х110 вольт, хорошем блоке питания, на нагрузку 2 ом, "класических" транзисторов 5200/1943 потребуется 30 пар на канал! Это нереально! С двухуровневым питанием 5 пар двоек, то-есть всего 10 транзисторов в плечё.

    Вот и хотел узнать, будет-ли работать тот принцеп, что нарисовал на картинке?
    Последний раз редактировалось kobarr; 26.06.2008 в 11:49.

  5. #5
    Завсегдатай Аватар для sia_2
    Регистрация
    18.07.2005
    Сообщений
    4,009

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    Цитата Сообщение от kobarr Посмотреть сообщение
    antiluser, всё верно, однако сдесь нескалько иное.

    Поясню почему интересует именно это. Выше писал, что трансформатор не "даёт" организовать ВК с двухуровневым питанием, который, какраз позволяет (кроме всего прочего) расширить ОБР транзисторов и уменьшить их количество.

    В случае с одноуровневым питанием, для меня, терпеть количество запаралеленых транзисторов на нагрузку 2 ом, без каординального изменения схемы выходного каскада, можно только вольт до 2х70.
    Для надёжной работы без выхода за ОБР при напряжении 2х110 вольт, хорошем блоке питания, на нагрузку 2 ом, "класических" транзисторов 5200/1943 потребуется 30 пар на канал! Это нереально! С двухуровневым питанием 5 пар двоек, то-есть всего 10 транзисторов в плечё.

    Вот и хотел узнать, будет-ли работать тот принцеп, что нарисовал на картинке?
    1. "Расширить ОБР" конкретного транзистора - нельзя в принципе. Ну можно улучшить охлаждение и только.
    2. Нарисованная схема - неработоспособна , т.к. напряжение К-Э на "выходном" транзисторе каждого из плеч должно быть меньше 0.
    3. Для улучшения использования выходных транзисторов по ОБР нужна схема с распределением падения напряжения по выходным транзисторам, или с многоуровневым питанием. Такие схемы есть, однако при этом "узкое место" часто переходит на предвыходные - их ОБР невелика. Делитель напряжения, необходимый в схеме с распределением падения напряжения, сильно нагружает предвыходные или пред-предвыходные транзисторы. Поэтому при применении этого решения приходится сильно снижать скоростные свойства усилителя.

  6. #6
    Завсегдатай Аватар для antiluser
    Регистрация
    15.06.2008
    Адрес
    Челябинск
    Возраст
    49
    Сообщений
    3,068

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    sia_2 опередил, в нижнем плече включение транзисторов вообще неверное.

  7. #7
    Завсегдатай
    Автор темы
    Аватар для kobarr
    Регистрация
    07.11.2007
    Адрес
    Иркутская обл. г. Братск
    Сообщений
    1,171

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    Цитата Сообщение от sia_2 Посмотреть сообщение
    "Расширить ОБР" конкретного транзистора - нельзя в принципе.
    Имелось ввиду создать условия при которых область безопасных режимов не выходила за рамки допустимого для конкретного транзистора.
    Цитата Сообщение от sia_2 Посмотреть сообщение
    2. Нарисованная схема - неработоспособна , т.к. напряжение К-Э на "выходном" транзисторе каждого из плеч должно быть меньше 0.
    Печально. А я так надеялся.
    Просто увидел как вот тут сделано и подумал будет-ли это работать в ВК.

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	PA1000W-2-1.gif 
Просмотров:	812 
Размер:	8.9 Кб 
ID:	32827

  8. #8
    Завсегдатай
    Автор темы
    Аватар для kobarr
    Регистрация
    07.11.2007
    Адрес
    Иркутская обл. г. Братск
    Сообщений
    1,171

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    Цитата Сообщение от antiluser Посмотреть сообщение
    в нижнем плече включение транзисторов вообще неверное.
    Ошибся, недоглядел.

    Добавлено через 4 минуты
    Исправил.
    Последний раз редактировалось kobarr; 25.06.2008 в 12:51. Причина: Добавлено сообщение

  9. #9
    Завсегдатай
    Автор темы
    Аватар для kobarr
    Регистрация
    07.11.2007
    Адрес
    Иркутская обл. г. Братск
    Сообщений
    1,171

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК



    Да, действительно, халява не прокатила!

    Пробовал сейчас комутировать транзисторы через нагрузку.
    На одном падение напряжения было менше пол вольта, а на другом несколько вольт. Причём с закономерностью: если взять верхнее плечё, то на нижнем транзисторе меньше падение чем на верхнем. Выравнивающие резисторы на результат не повлияли.

  10. #10
    Завсегдатай Аватар для sia_2
    Регистрация
    18.07.2005
    Сообщений
    4,009

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    Цитата Сообщение от лысый Посмотреть сообщение
    Таки можно. ОБР биполярного транзистора зависит от схемы включения. С общим эмиттером или коллектором ОБР практисски одинаковая, именно она и приводится в даташитах. Но в схеме с общей базой ОБР сильно расширяется и становится почти прямоугольной вплоть до максимально допустимых тока коллектора и напряжения на нём. Так шта ОБР транзистора можно сильно расширить, если включить его с общей базой, тоисть если использовать на выходе т.н. каскодную схему, например ОЭ-ОБ.
    Неверно.
    Включение с общей базой расширяет RBSOA, а не ARSOA.
    (RBSOA - ОБР при закрывании транзистора, ARSOA/FBSOA - ОБР в активном режиме при прямом смещении). Это полезно в преобразователях и ключевых усилителях, но в линейном режиме проку не дает, т.к. первопричина - шнурование тока в структуре при работе на высоких напряжениях - не может быть устранена без изменения конструкции транзистора - балластирования (деление эмиттера на огромное число маленьких островков с индивидуальными резисторами к каждой из этих областей). Чем выше рабочие напряжения, тем больше приходится делать номинал этих резисторов, теряя в минимальном напряжении при больших токах.
    Ключи с коммутацией по эмиттеру были широко распространены до появления высоковольтных МОП и IGBT, сегодня применяются в высоковольтных преобразователях большой мощности.
    Цитата Сообщение от kobarr Посмотреть сообщение
    Имелось ввиду создать условия при которых область безопасных режимов не выходила за рамки допустимого для конкретного транзистора.
    Это можно. Снижение ("деление") напряжения - тут в кассу.
    Последний раз редактировалось sia_2; 28.06.2008 в 02:38.

  11. #11
    Старый знакомый Аватар для Alex_Zhuravlyov
    Регистрация
    26.04.2006
    Адрес
    Украина
    Возраст
    44
    Сообщений
    771

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    была когда-то така схема включения выходных транзисторов, в году эдак 85-86, которая называлась "бобовый стебель", применялась как раз для того, что бы расширить ОБРи увеличить мощность, так как не было нормальных выходных транзисторов, но сейчас найти инфу не представляеццо возможным, по простому похоже на класс G, тока без нижнего питания, выходники включены последовательно, верхние качаются с выхода УСЯ, КПД схемы в районе 30-40%

  12. #12
    Новичок Аватар для aleksandr_pot
    Регистрация
    13.05.2008
    Возраст
    57
    Сообщений
    52

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    ОБР биполярного транзистора сужается от напряжения, по этому два последовательных транзистора, при напряжении близком к предельному, глубже в ОБР, чем два параллельных.
    Схема http://www.guitar.ru/articles/make/sk-2/shema_ym.htm
    Описание идеи.http://www.guitar.ru/articles/make/sk-2/
    Последний раз редактировалось aleksandr_pot; 28.06.2008 в 10:18.

  13. #13
    Старый знакомый Аватар для Alex_Zhuravlyov
    Регистрация
    26.04.2006
    Адрес
    Украина
    Возраст
    44
    Сообщений
    771

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    Цитата Сообщение от aleksandr_pot Посмотреть сообщение
    Вот это я и имел ввиду...

  14. #14
    Завсегдатай
    Автор темы
    Аватар для kobarr
    Регистрация
    07.11.2007
    Адрес
    Иркутская обл. г. Братск
    Сообщений
    1,171

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    Значит нечто подобное существует...

    Из за не знания физики мне сложно понять как камутируются транзисторы ВК в приведённой схеме. Но я тут пойгрался немного с включением транзисторов и пришол к некоему результату. Возможно, что драйвером следует камутировать один из двух этажей, другой-же постоянно держать в открытом состоянии. Именно так и удалось сравнять падение напряжения на транзисторах, оно составило 1.27V на транзистор. Возможно результат удасться улучшить, но надо это всё расчитать.
    На картике верхнее плечё. Это работоспособно?
    Миниатюры Миниатюры Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	ыыы.JPG 
Просмотров:	321 
Размер:	12.9 Кб 
ID:	33003  

  15. #15
    Завсегдатай Аватар для sia_2
    Регистрация
    18.07.2005
    Сообщений
    4,009

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    Цитата Сообщение от kobarr Посмотреть сообщение
    Значит нечто подобное существует...

    Из за не знания физики мне сложно понять как камутируются транзисторы ВК в приведённой схеме. Но я тут пойгрался немного с включением транзисторов и пришол к некоему результату. Возможно, что драйвером следует камутировать один из двух этажей, другой-же постоянно держать в открытом состоянии. Именно так и удалось сравнять падение напряжения на транзисторах, оно составило 1.27V на транзистор. Возможно результат удасться улучшить, но надо это всё расчитать.
    На картике верхнее плечё. Это работоспособно?
    Работоспособно, если "нижний" резистор от базы верхнего транзистора подключить к выходу схемы, и резисторы взять примерно одинаковые.. Однако приводит к расходу тока через резисторы, поэтому транзисторы туда лучше ставить Дарлингтоны (составные). Плюс потеря в быстродействии (на ВЧ емкость коллектор-база верхнего транзистора, видимая со стороны эмиттера, умножается в h21э раз, отчасти лечится шунтированием делителя RC-цепями).
    А вообще дешевле поменять трансформатор - это окупится уже на электролитах (цена микрофарады в 120-150В и 63В электролитах отличается раз в 6).

  16. #16
    Завсегдатай
    Автор темы
    Аватар для kobarr
    Регистрация
    07.11.2007
    Адрес
    Иркутская обл. г. Братск
    Сообщений
    1,171

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    Цитата Сообщение от sia_2 Посмотреть сообщение
    Работоспособно, если "нижний" резистор от базы верхнего транзистора подключить к выходу схемы,
    Точно. На макете так и сделано. Опять невнимательность.
    Цитата Сообщение от sia_2 Посмотреть сообщение
    Дарлингтоны (составные)
    Вот их и не хотелшось ставить. А как на счёт полевых?
    Цитата Сообщение от sia_2 Посмотреть сообщение
    на ВЧ емкость коллектор-база верхнего транзистора, видимая со стороны эмиттера, умножается в h21э раз
    Так ведь транзистор постоянно открыт!
    Цитата Сообщение от sia_2 Посмотреть сообщение
    А вообще дешевле поменять трансформатор
    Много возни и лишних денег. Естественно был-бы он в наличии и все проблемы разом отпадают.

  17. #17
    Завсегдатай Аватар для 25602
    Регистрация
    07.07.2006
    Адрес
    Украина, Балта
    Возраст
    39
    Сообщений
    2,047

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    kobarr, посмотри усь Сакевича там ВК выполнен как ты хотел

  18. #18
    Завсегдатай Аватар для sia_2
    Регистрация
    18.07.2005
    Сообщений
    4,009

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    Цитата Сообщение от kobarr Посмотреть сообщение
    Вот их и не хотелшось ставить. А как на счёт полевых?
    C ними все то же самое. Только потери напряжения больше и емкости выше.
    Цитата Сообщение от kobarr Посмотреть сообщение
    Так ведь транзистор постоянно открыт!
    Именно потому, что открыт. При закрытом этой проблемы (умножения емкости) нету.
    Цитата Сообщение от kobarr Посмотреть сообщение
    Много возни и лишних денег. Естественно был-бы он в наличии и все проблемы разом отпадают.
    Высоковольтные кондеры тоже денег стоят, и конкретных.

  19. #19
    Tetragramaton
    Гость

    По умолчанию Re: Расширение ОБР транзисторов ВК

    Цитата Сообщение от antiluser Посмотреть сообщение
    На практике применяют параллельное включение транзисторов, это дает не только уменьшение Pк на каждом транзисторе, но и другие преимущества. Много об этом есть в ветке о сверхлинейном С. Агеева.
    почему - то мне кажется, что я тесно знаком с этим усилителем...

Социальные закладки

Социальные закладки

Ваши права

  • Вы не можете создавать новые темы
  • Вы не можете отвечать в темах
  • Вы не можете прикреплять вложения
  • Вы не можете редактировать свои сообщения
  •