Поскольку я ценю своё время, то мне хочется выложить в отдельную ветку результаты некоторых измерений ёмкостей у полевиков, которые я сделал в первую очередь для удовлетворения собственного любопытства. Методика была использована следующая: постоянное напряжение на затвор подавалось через высокоомный (3,3 МОм) резистор, а измеритель ёмкости (частота 1 МГц, максимальное напряжение на измеряемой ёмкости 15 мВ) подключался между затвором и истоком через конденсатор в 0.1 мкФ. Сток подключался к истоку через 100К для исключения появления напряжения на стоке из-за утечек. На данный момент я промерял два N-канальных транзистора - ZVN0545A и IRL530N, причём первый ещё и при напряжении на стоке 5V и (соответственно Vзи) токе стока до 37 мА.
Начало дискуссии и графики по ZVN здесь:
https://forum.vegalab.ru/showpost.ph...&postcount=195
https://forum.vegalab.ru/showpost.ph...&postcount=227
а ниже результаты для IRL530N
Добавлено чуть позже:
На самом деле этот эффект прекрасно виден из кривых зависимости полного заряда затвора от напряжения, которые приведены в большинстве описаний MOSFET-ов. Если пересчитать заряд и напряжение в ёмкость, то можно построить эквивалент кривых, полученных мной при измерениях. Надо только заметить, что производители обычно измеряют заряд затвора при значительном напряжении на стоке и больших токах стока.
Неприятен тот факт, что распространённые модели полевиков совершенно не учитывают эти зависимости.
Алексей
Социальные закладки