Показано с 1 по 11 из 11

Тема:

  1. Регистрация не подтверждена
    Автор темы
    Аватар для Alex Nikitin
    Регистрация
    03.01.2005
    Адрес
    London UK
    Сообщений
    4.392

    По умолчанию Входные ёмкости у MOSFET-ов

    Поскольку я ценю своё время, то мне хочется выложить в отдельную ветку результаты некоторых измерений ёмкостей у полевиков, которые я сделал в первую очередь для удовлетворения собственного любопытства. Методика была использована следующая: постоянное напряжение на затвор подавалось через высокоомный (3,3 МОм) резистор, а измеритель ёмкости (частота 1 МГц, максимальное напряжение на измеряемой ёмкости 15 мВ) подключался между затвором и истоком через конденсатор в 0.1 мкФ. Сток подключался к истоку через 100К для исключения появления напряжения на стоке из-за утечек. На данный момент я промерял два N-канальных транзистора - ZVN0545A и IRL530N, причём первый ещё и при напряжении на стоке 5V и (соответственно Vзи) токе стока до 37 мА.

    Начало дискуссии и графики по ZVN здесь:

    http://forum.vegalab.ru/showpost.php...&postcount=195

    http://forum.vegalab.ru/showpost.php...&postcount=227

    а ниже результаты для IRL530N

    Добавлено чуть позже:

    На самом деле этот эффект прекрасно виден из кривых зависимости полного заряда затвора от напряжения, которые приведены в большинстве описаний MOSFET-ов. Если пересчитать заряд и напряжение в ёмкость, то можно построить эквивалент кривых, полученных мной при измерениях. Надо только заметить, что производители обычно измеряют заряд затвора при значительном напряжении на стоке и больших токах стока.

    Неприятен тот факт, что распространённые модели полевиков совершенно не учитывают эти зависимости.

    Алексей
    Миниатюры Миниатюры Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	IRL530N_0V.GIF 
Просмотров:	502 
Размер:	5,8 Кб 
ID:	21180  
    Последний раз редактировалось Alex Nikitin; 12.04.2007 в 20:40.

  2. Завсегдатай Аватар для ИГВИН
    Регистрация
    06.05.2005
    Адрес
    Ростов-на-Дону
    Возраст
    59
    Сообщений
    9.977

    По умолчанию Re: Входные ёмкости у MOSFET-ов

    Алексей, нет ли под рукой мощных горизонтальных?
    BUZ901 или 2SK1058, непринципиально. Очень было бы интересно, сравнить ход характеристик.

    По разным вертикальным, видимо, будут сходные результаты... Разве что Р-канальные?
    Хотя по моим измерениям BUZ171, BTS100 работали без характерного перепада АЧХ в НЧ-области. В отличии от IRF540, например.
    Игорь. Meridian 507.24 => DAC6 v2+свой выхлоп => Noosfera Echo v5 => Celestion A2 + Hand-made cable

  3. Регистрация не подтверждена
    Автор темы
    Аватар для Alex Nikitin
    Регистрация
    03.01.2005
    Адрес
    London UK
    Сообщений
    4.392

    По умолчанию Re: Входные ёмкости у MOSFET-ов

    Цитата Сообщение от ИГВИН Посмотреть сообщение
    нет ли под рукой мощных горизонтальных?
    BUZ901 или 2SK1058, непринципиально. Очень было бы интересно, сравнить ход характеристик.
    В описаниях на 2SK1058 и 2SJ162 имеются подобные графики:

    Алексей
    Миниатюры Миниатюры Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	2SK1058_Cgs.gif 
Просмотров:	198 
Размер:	8,3 Кб 
ID:	21204   Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	2SJ162_Cgs.gif 
Просмотров:	175 
Размер:	7,4 Кб 
ID:	21205  

  4. Мимо проходил Аватар для Костя Мусатов
    Регистрация
    05.03.2004
    Адрес
    Москва
    Возраст
    51
    Сообщений
    5.514

    По умолчанию Re: Входные ёмкости у MOSFET-ов

    Цитата Сообщение от Alex Nikitin Посмотреть сообщение
    В описаниях на 2SK1058 и 2SJ162 имеются подобные графики:

    Алексей
    Можно заметить, что размах изменения (в разах) заметно меньше, чем у вертикалных.

  5. Регистрация не подтверждена
    Автор темы
    Аватар для Alex Nikitin
    Регистрация
    03.01.2005
    Адрес
    London UK
    Сообщений
    4.392

    По умолчанию Re: Входные ёмкости у MOSFET-ов

    Цитата Сообщение от Костя Мусатов Посмотреть сообщение
    Можно заметить, что размах изменения (в разах) заметно меньше, чем у вертикалных.
    Ну, у ZVN0545 примерно такой же - в 2 раза, а вот у IRL530N - в 3 раза. Увидеть приблизительно, во сколько раз, можно по изменению градиента графика зависимости заряда затвора от напряжения на затворе, который есть в большинстве описаний. Там надо учитывать, что в этих графиках Vси не остаётся постоянным, поэтому они не совсем применимы к линейному режиму. Я просмотрел несколько описаний вертикальных полевиков, и похоже, что коэффициент варьирует от 2 до 4. Кроме этого, похоже, что этот коэффициент заметно зависит от напряжения на стоке.

    Алексей
    Последний раз редактировалось Alex Nikitin; 13.04.2007 в 01:20.

  6. Регистрация не подтверждена Аватар для Floydman
    Регистрация
    01.08.2006
    Адрес
    г. Новосибирск
    Сообщений
    137

    По умолчанию Re: Входные ёмкости у MOSFET-ов

    А есть у кого SPICE-модели ZVN2120, BSS88, BSN254? Очень надо!

  7. Завсегдатай Аватар для ИГВИН
    Регистрация
    06.05.2005
    Адрес
    Ростов-на-Дону
    Возраст
    59
    Сообщений
    9.977

    По умолчанию Re: Входные ёмкости у MOSFET-ов

    BSS88, BSN254 есть в Микрокапе 8.
    Игорь. Meridian 507.24 => DAC6 v2+свой выхлоп => Noosfera Echo v5 => Celestion A2 + Hand-made cable

  8. Забанен (навсегда) Аватар для SashaNetrusov
    Регистрация
    25.01.2006
    Адрес
    Екатеринбург
    Возраст
    56
    Сообщений
    3.103

    По умолчанию Re: Входные ёмкости у MOSFET-ов

    ......в линейном режиме больше влияет затвор-стоковая ёмкость в зависимости от напряжения затвор- сток....

  9. Завсегдатай Аватар для boatsman
    Регистрация
    10.03.2004
    Адрес
    Москва
    Возраст
    54
    Сообщений
    2.492

    По умолчанию Re: Входные ёмкости у MOSFET-ов

    Цитата Сообщение от Alex Nikitin Посмотреть сообщение
    распространённые модели полевиков совершенно не учитывают эти зависимости
    Причем это давно известно и факт удручающий, как-то бился рогами в проблему трансформаторной развязки затворов силовых ключей - мрака да и только.
    Где-то в аппноткаах чьих-то видел примерные пороговые значения для ТО-247 полевиков (крупный кристалл), сходилось с моим экспериментом.
    Их гадов пришлось втыкать через емкости, зашунтировав затвор-исток стабилитроном, иначе безуспешно.


    Цитата Сообщение от SashaNetrusov Посмотреть сообщение
    в линейном режиме больше влияет затвор-стоковая ёмкость
    ...имени папаши Миллера?
    Yours Aye, Ilya

  10. человек без статуса Аватар для лысый
    Регистрация
    27.02.2005
    Адрес
    село Самбек
    Сообщений
    1.522

    По умолчанию Re: Входные ёмкости у MOSFET-ов

    boatsman, в силовых ключах напряжение на затворе меняется скачком скажем от 0 до +12 вольт, обычно чем быстрее, тем лучше. Миллер там тоже лютует, потому что драйверов с нулевым выходным сопротивлением не бывает, и потому на фронте нарастания затворного напряжения получается хорошо видимая полочка в районе порогового, длительностью в аккурат равная длительности фронта на стоке.
    А в усилителях амплитуда на затворе обычно гораздо меньше и колеблется в районе порогового напряжения.

  11. Завсегдатай Аватар для boatsman
    Регистрация
    10.03.2004
    Адрес
    Москва
    Возраст
    54
    Сообщений
    2.492

    По умолчанию Re: Входные ёмкости у MOSFET-ов

    Цитата Сообщение от лысый Посмотреть сообщение
    скачком скажем от 0 до +12 вольт
    Я бы сказал - от -12 до +12, у меня же транс, с меандром, постоянные Вольт*секунды без постоянной составляющей.

    Цитата Сообщение от лысый Посмотреть сообщение
    получается хорошо видимая полочка в районе порогового
    Не факт. У меня нагрузка подзванивает, вместо полочки звоняра конкретный. И это именно Миллер. А если не дать заряд в затвор в нужном количестве - все еще хуже.

    А в усилителях понятно - линейно меняющаяся входная емкость тот еще подарок.
    Yours Aye, Ilya

Социальные закладки

Социальные закладки

Ваши права

  • Вы не можете создавать новые темы
  • Вы не можете отвечать в темах
  • Вы не можете прикреплять вложения
  • Вы не можете редактировать свои сообщения
  •