Выходные транзисторы

[Octagon]

Хотелось бы узнать симпатии уважаемых форумчан в отношении биполярных выходных пар. На своей практике испробовал TOSHIBA 2SC5200/2SA1943 и Sanken 2SC2922/2SA1216. Каждый звучит по своему. у Тошибы басок плотнее но неглубокий, в то время как у Sanken наоборот да и с высокими больший порядок. Что еще стоит попробовать?

[scsml]

а какую пару все же предпочтительнее в в/к установить mjl21193/94 или 21195/96? Именно в в/к с одной парой на выходе. Первая несколько подороже, но все-таки...

[Electro_maniac]

В одном проф. усилке столкнулся с транзисторами MJW21193/94. Это просто такая разновидность mjl21193/94? вроде только корпусом отличаются (у mjw to-247, у mjl to-264).
вот даташиты - http://www.datasheetcatalog.org/data...MJW21193-D.PDF
http://www.radiotechnika.hu/images/MJL21193-21194.pdf

[MagSerg]

Прошу прощения у уважаемых специалистов, но к сожалению в ветке по твикам никто не дает совета по улучшению.
Имеет ли смысл в приложенной схеме поменять транзисторы выходного каскада с Sanken-a на что-то получше (желательно ткнуть носом в рекомендуемую замену). Просто вычитал в ветке что у Sanken составные транзюки далеко не самые лучшие, вот и задался вопросом. К сожалению сильно переделывать схему нельзя, конструктивные особенности не позволяют.
это оригинальный пост в ветке по твикам

ps. для модератора: если я все-же влез не по теме (а это по моему так и есть) то прошу тогда закинуть мой пост куда ему и место. написал в этот топик только потому что вижу здесь большинство людей которые "собаку съели" на схемотехнике, и многое пощупавшие своими руками

[classDfan]

Читая даташит, обратил внимание на то, что параметры искажений нормированны в даташите (во вложенном ф-ле выделено цветом), там же приведена схема включения и методика измерений. Честно говоря, параметры удивили своим качеством... Поэтому хочу спросить у сообщества :
кто нибудь встречал транзисторы с подобными нормированными параметрами, только меньшей мощности (40- 80 Вт.) и более высокочастотные (30 и более МГц) ?

MJL21193-21194.pdf

[scsml]

кто-нибудь непосредственно сравнивал ONS MJL3281 и Toshiba SC3281?
У тошибы бета такая же линейная? И с мощностью рассеяния непонятки: тошиба заявляет 150Вт, а ОНС 200.
Но купить при этом тошку много проще. Короче, стоит ли искать ОНС или не заморачиваться?

[viktor8m]

Уж тогда лучше пары NJL0281D\NJL0302D (180 Вт) или NJL3281D\NJL1302D (200 Вт) или NJL4281D\NJL4302D (230 Вт) со встроенными диодами термостабилизации. Их можно купить непосредственно с сайта производителя (по-моему 21 дол. за пять пар с доставкой), причём никто не звонит и не проверяет.

[Andrey B.]

возник вопрос по применению, есть пара готовых радиаторов с 8-ю парами 2SA1051B/2SC2461B
пары транзисторов УЖЕ наверное пенсионного возраста - но все же ...
применялись ГДЕто в профессиональной аппартуре привезены "от туда" с дЖапании - оригиналы 99,9%, на целосность не проверял еще, руки не дошли
хочу поставить в схему оконечников вместо 5200/1943 схема на LME49810 насколько оправдано ?
пытался найти даташиты - но не совсем удачно нашел только с буквой "А", с "В" не удалось

что удалось найти:
Name: 2SA1051A

Material of transistor: Si
Polarity: pnp
Maximum collector power dissipation (Pc): 150W
Maximum collector-base voltage (Ucb): 160V
Maximum collector-emitter voltage (Uce): 160V
Maximum emitter-base voltage (Ueb): 5V
Maximum collector current (Ic max): 15A
Maximum junction temperature (Tj): 135°C
Transition frequency (ft): 60MHz
Collector capacitance (Cc), Pf: 300
Forward current transfer ratio (hFE), min/max: 55/240
Manufacturer of 2SA1051A transistor: TOSHIBA
Package of 2SA1051A transistor: TO3
Application of 2SA1051A transistor: High Power, High Voltage, General Purpose


Name: 2SC2461A
Material of transistor: Si
Polarity: npn
Maximum collector power dissipation (Pc): 150W
Maximum collector-base voltage (Ucb): 150V
Maximum collector-emitter voltage (Uce): 150V
Maximum emitter-base voltage (Ueb): 5V
Maximum collector current (Ic max): 12A
Maximum junction temperature (Tj): 125°C
Transition frequency (ft): 45MHz
Collector capacitance (Cc), Pf: 200
Forward current transfer ratio (hFE), min/max: 70/280
Manufacturer of 2SC2461A transistor: MITSUBISHI (у меня Тошиба)
Package of 2SC2461A transistor: TO3
Application of 2SC2461A transistor: High Power, High Voltage, General Purpose

в кратце и ни одного графика и прочего в даташитах, и вообще написано было что частота транзисторов 80мГц (в одном из даташитов)
по характеристикам вроде не плохие, стоит 8-мь пар в паралель планирую использовать 4-ре пары развязку оставлю та что уже стоит, очень надеюсь что пары подобраны но проверить не помешает ...

хотелось бы совета - что ВОЗМОЖНО придется менять в схеме при такой замене.

[Vovk]

Они очень похожи, только у ваших максимальное напряжение к-э поменьше будет (150 Вольт), против 230 Вольт у 5200/1943.

[VasilTech]

Andrey B., судя по тому, что 2SA1302/2SC3281 были по "звуковым" параметрам лучше, чем вышедшие им на смену 1943/5200 (так по официальной информации от Тошибы) - то вполне может оказаться, что и эти ваши неплохи, не смотря на меньшие напряжения.

[Andrey B.]

судя по тому что, именно на них я ничего не нашел (с буквой "В") то сложилось впечетление что, выпущены они были ограниченным или специальным (по заказу или как там) выпуском и для внутреннего рынка дЖапании.
жалко что незнаю наименование "железки". есть подозрение что это были выходные каскады передатчика ... хотя могу и ошибаться ...
в любом случае - думаю даже напряжение 150В и мощности 100Вт и заявленных частотах 80мГ(мелькало в одном даташите) вполне достаточно для моих задач
лишний раз хотел убедится и посоветоваться.
на транзисторах стоит маркировка "R" (55-110) "O" (80-160) (на разных комплектах у меня их 2-ва - на фото с буквой "О") судя по даташиту на 2461 - указывает на класификацию hFE (указал в скобках после букв)
справедливо ли "переносить" аналогию на мои (которые с буквой "В") или возможны варианты не совпадения с другой серией?
осталось выяснить что значат 3J и 3H на корпусах.

ЗЫ: какие только не качал даташиты - все с одного ведра - практически ... - ну тоесть одно и тоже, я взрослый мальчик уже, и понимаю что нех велик изобретать - уже есть готовый в магазе (я про даташиты) ... но все равно ... хотелось бы немного конкретики хотя ... судя по всему уже все лесом заросло и быльем ...

ссылка на даташит: http://datasheet.octopart.com/2SC246...eet-107362.pdf

[Vinyl]

Кто в курсе технологии производства транзисторов в корпусе ТО-3, они заполнены каким либо газом, или защитная крышка ставиться прям на воздухе ? Суть вопроса в том, что после вскрытия корпуса можно ли транзистор использовать.

[Vovk]

или защитная крышка ставиться прям на воздухе ?

Я не сильно в курсе, но кажется, так. Если защитить от внешних воздействий (солнце, влажность и т.п.), то можно использовать. Некоторые умельцы, из вырезанных кристаллов собирают целые микросборки.

[Слава К]

Кто в курсе технологии производства транзисторов в корпусе ТО-3, они заполнены каким либо газом, или защитная крышка ставиться прям на воздухе ? Суть вопроса в том, что после вскрытия корпуса можно ли транзистор использовать.

не знаю как у большинства, но у тех ТР в ТО-3 которые доводилось разбирать, кристалл был залит силиконом, правда, это был левак.

[Vinyl]

Я к тому, что не будет ли окисляться кристалл со временем ?
И вот ещё какие мысли... в середине ветки Сергей Агеев говорил о том, что этот корпус явно лучше, чем ТО-264, хотя всё равно не достаточно для понижения термомодуляции. А что если такой экстрим - извлеч из ТО-3 кристалл на подложке и непосредственно подложку по краям прижать к радиатору, с пастой, разумеется. На сколько я понял подложка точечно или по краям приваривается к основанию - корпусу транзистора. Исключается таким образом один переход, много выигрыша от уменьшения термосопротивления ?

[boatsman]

Подложка обычно паяется. Это же кристалл кремния, не варится никак, должен быть тепловой контакт по всей площади. По крайней мере, у серьезных силовых транзисторов пайка.

[Vjumajlo]

подложка точечно или по краям приваривается к основанию - корпусу транзистора. Исключается таким образом один переход,

Кем он исключается, откуда? И куда же он исчезает, этот исключённый переход? Что остаётся после такой кастрации транзистора? От жеж как оно!..

[Vovk]

А что если такой экстрим - извлеч из ТО-3 кристалл на подложке и непосредственно подложку по краям прижать к радиатору, с пастой, разумеется. На сколько я понял подложка точечно или по краям приваривается к основанию - корпусу транзистора. Исключается таким образом один переход, много выигрыша от уменьшения термосопротивления ?

Оторванный от подложки кристалл сгорит в секунду, т.к. сомневаюсь, что в домашних условиях его можно обратно куда-то приварить/припаять.

Максимум, что можно сделать - вместо прижима корпуса к радиатору, сделать пайку корпуса к радиатору, или толстой медной пластине.

---------- Добавлено в 13:59 ---------- Предыдущее сообщение в 13:58 ----------

для понижения термомодуляции.

Наверное, остается только параллелить корпуса, одновременно увеличивая ток покоя через каждый (а там и привет класс А).

[Vinyl]

Коллеги, я возможно неточно выразился. Сам кристалл находиться на подложке. Подложка крепиться к металлической пластине (во вложение - она между двумя синими стеклянными герметиками), а вот она точечно приваривается или по контуру припаивается к пластине-корпусу ТО-3. Так вот эту саму пластину (с кристаллом и подложкой) я и предлагаю отделить от пластины-корпуса и прижать к радиатору. Вот таким образом и сокращается один контактный переход по передаче тепла.

[Ulis]

И что это даст?....в цифрах плиз!
минус один градус перегрева?

[Vinyl]

И что это даст?....в цифрах плиз!
минус один градус перегрева?

Offтопик:
Я как раз сам и интересуюсь проделывал ли кто такое, и есть ли в этом смысл