Выходные транзисторы

[Octagon]

Хотелось бы узнать симпатии уважаемых форумчан в отношении биполярных выходных пар. На своей практике испробовал TOSHIBA 2SC5200/2SA1943 и Sanken 2SC2922/2SA1216. Каждый звучит по своему. у Тошибы басок плотнее но неглубокий, в то время как у Sanken наоборот да и с высокими больший порядок. Что еще стоит попробовать?

[antiluser]

Точно, вопрос про класс A был

[nerv]

Специалисты ,подскажите как правильно подобрать транзисторы в УМЗЧ по Uкэ ? Суть проблемы:
2SC3281,измеренное Uкэr/Uкэ для нескольких транзисторов соответствовало 420/190 v, 370/160v, 360/180v, 340/170v.
2SA1302-150/110v, 150/105v,попался даже 105/35v.
Предполагаю,что в даташитах на импортные транзюки указывается именно Uкэ, а в наших справочниках на совковые-Uкэr.Если ошибаюсь то прошу прояснить ситуацию с этим.
Далее,допустимо использовать транзюк 105/35 v при напряжении питания
УМЗЧ+-40v ? Это левак попался?
А вот наши:
КТ8101А-210/120 v,причём все 10 штук такие.
КТ8102А-170/90 v ,тоже десяток набрался но с небольшим расбросом.
Как я понимаю,без базовых резисторов в вых.каскадах УМЗЧ транзисторы не работают,поэтому достаточно измерить Uкэr и на его значение ориентироваться при подборе транзисторов,а Uкэ знать не обязательно.
Но я могу и ошибаться,поэтому вопрос:Что важнее знать-величину Uкэr или Uкэ ?

[sia_2]

Нет, "у них" нормируется именно минимальное обеспечиваемое UкэR, при оборванной базе мерится т.н. "граничное напряжение". Естественно, реальное значение UкэR у исправного транзистора выше паспортного, но вот граничное напряжение, если о нем не сказано специально, не гарантируется. При граничном напряжении коэффициент передачи тока переходит через бесконечность (меняется знак базового тока). Схемотехника должна это учитывать.
Обеспечение чрезмерного запаса по Uкэ(R) существенно ухудшает другие параметры транзистора, поэтому чем выше культура производства и рациональнее конструкция самих кристаллов, тем меньшим делается запас по пробивному напряжению. Надежность в нормальных условиях эксплуатации от величины запаса, если он больше примерно 30...35%, не зависит, точнее, фактически оказывается зависящей с обратным знаком, т.к. при увеличении пробивных напряжений страдают возможности по току и критическая температура кристалла.

[nerv]

Спасибо за ответ.
По измерениям КТ818,КТ819 имеют одинаковое Uкэr и граничное.
О чём это может говорить?

[WP]

О высокой культуре производства и оптимальнейшей конструкции кристалла.

Добавлено через 1 минуту

2SA1302-150/110v, 150/105v,попался даже 105/35v.

Что мало, на фуфло похоже. Кристаллы КТ818 в ТО264.

[nerv]

О высокой культуре производства и оптимальнейшей конструкции кристалла.

Здесь три смайлика и мне не понятно всё же,у КТ818/819 в ТО220 ,91го
года выпуска действительно была высокая культура производства ?
А как Вам КТ818А1-Г1, КТ819А1-Г1 в корпусах ТО218 производства
ЗАО Кремний?

[sia_2]

Спасибо за ответ.
По измерениям КТ818,КТ819 имеют одинаковое Uкэr и граничное.
О чём это может говорить?

Зависит от способа измерения. Если при измерении UкэR появляется заметный обратный базовый ток - о пробое коллектор-база, если тока в базовом выводе нет, а он шурует напрямую через коллектор-эмиттер - о т.н. проколе (сквозном обеднении) базы. Первое - нормально, второе - плохо, ибо создает склонность к шнурованию тока.
У транзисторов серии 818-819 кристаллы в разое время выпуска сильно отличались по конструкции, выпуска 1998 года мне попадались неплохие, но все портила плохая припайка кристалла на железку корпуса одновременно с приличной толщиной кристаллов - пузырь в этой припайке - нагревающийцся участок - пробой.

[nerv]

Зависит от способа измерения. Если при измерении UкэR появляется заметный обратный базовый ток - о пробое коллектор-база, если тока в базовом выводе нет, а он шурует напрямую через коллектор-эмиттер - о т.н. проколе (сквозном обеднении) базы. Первое - нормально, второе - плохо, ибо создает склонность к шнурованию тока.
У транзисторов серии 818-819 кристаллы в разое время выпуска сильно отличались по конструкции, выпуска 1998 года мне попадались неплохие, но все портила плохая припайка кристалла на железку корпуса одновременно с приличной толщиной кристаллов - пузырь в этой припайке - нагревающийцся участок - пробой.

Измерял так: сначала определял UкэR (базовый резистор 10К),испытательное напряжение 500V,в цепи К-Э микроамперметр.При замкнутых К-Э ток полного отклонения головки микроамперметра 100мка.
При измерениях,отклонение стрелки от максимума на 10мка соответствует падению UкэR на каждые 50V.)
После этого отключал базовый вывод транзистора и измерял этим же способом Uграничное.
Правилен ли сам способ измерения U параметров?
Имеющиеся 818 и 819 показывают одинаковые напряжения К-Э,что с базовым резистором,что без него.
Допустимо устанавливать эти транзисторы в усилитель?

Добавлено через 40 минут

Что мало, на фуфло похоже. Кристаллы КТ818 в ТО264

Что фуфло это точно,но уж очень выглядят внешне как настоящие.Неужели так научились подделывать корпуса?
Может это всётаки отбраковка из Китая (например,от wingshing),вместо утилизации продают отбраковку нашим барыгам? Затем этот фуфел оказывается в распоряжении радиолюбителя.
На таких транзюках можно собрать что то достойное,если не превышать
измеренное UкэR ? Кстати, с бэтой у них в порядке.

[scsml]

А старые биполярники RCA хорошие?

[sia_2]

Измерял так: сначала определял UкэR (базовый резистор 10К),испытательное напряжение 500V,в цепи К-Э микроамперметр.При замкнутых К-Э ток полного отклонения головки микроамперметра 100мка.
При измерениях,отклонение стрелки от максимума на 10мка соответствует падению UкэR на каждые 50V.)
После этого отключал базовый вывод транзистора и измерял этим же способом Uграничное.
Правилен ли сам способ измерения U параметров?
Имеющиеся 818 и 819 показывают одинаковые напряжения К-Э,что с базовым резистором,что без него.

Резистор база-эмиттер в 10К для мощного транзистора достаточно большой, однозначный ответ можно дать только смотря на напряжение на базовом резисторе. Если на резисторе при начале пробоя К-Э напряжение база-эмиттер меньше 0.3...0.4В - имеем "прокол" базы, это характерно для транзисторов с высоким h21э. Если при включении сильно меньшего резистора база-эмиттер напряжение пробоя чуть повышается, и на резисторе появляется напряжение - то больше сказывается пробой коллектор-база. Т.е. важно, через что идет ток при начале пробоя - через эмиттерный или базовый вывод, т.е. пробой идет коллектор-база или коллектор-эмиттер (прокол).
Еще полезно измерить зависимость h21э от напряжения, только импульсным методом, чтобы не разогревать кристалл. При проколе коллектор-эмиттер тока базы почти нет, но h21э по мере роста напряжения улетает в бесконечность, а при пробое коллектор-база - тупо появляется ток через коллекторно-базовый переход, который усиливается в h21э раз, при этом само h21э растет не сильно.
Есть еще одна засада, случай, если пробой коллектор-база "мягкий", т.е. пробивной ток появляется не резко при определенном напряжении, а постепенно. Тогда Uкэr тоже сильно зависит от резистора база-эмиттер (транзистор начинает открываться, когда падение напряжения на нем достигает 0,5...0,6В), это однозначный брак, к сожалению, его сюда везут часто.

Допустимо устанавливать эти транзисторы в усилитель?

При условии наличия запаса по напряжению не меньше 30-40% по отношению к полному напряжению питания, в запасе больше двух раз уже нет смысла. Но брак лучше выбросить, это в конечном счете дешевле.

[nerv]

Еще полезно измерить зависимость h21э от напряжения, только импульсным методом, чтобы не разогревать кристалл.

Пожалуйста,подскажите при каком токе коллектора нужно измерять h21э
от напряжения Uк-э для мощных транзисторов?
Какие ,ориентировочно,значения изменения Uк-э мне понадобятся для этого ?
Соберу регулируемый БП для проведения эксперемента.

[sia_2]

Пожалуйста,подскажите при каком токе коллектора нужно измерять h21э
от напряжения Uк-э для мощных транзисторов?

При токе коллектора миллиампер 50-100, не меньше. При 100-200В это 10 Вт, потому и надо мерить импульсно, длительность импульса (его удобно задавать базовым током) не больше 20...50 мкс, на крайний случай до 100 мкс, скважность не меньше 50 - 100.

Какие ,ориентировочно,значения изменения Uк-э мне понадобятся для этого ?
Соберу регулируемый БП для проведения эксперемента.

Напряжения - вплоть до пробивного с оборванной базой.

[nerv]

Благодарю за ответы.

[v025604]

Господа, разрешите втиснуться в Ваш разговор. У меня ресивер Sony STR-DE598 в каждом канале стоит микросхема NEC µPC-2581V на выходе транзисторы MN-2488 MP-1620. Можно ли заменить транзисторы (хотя бы для стерео) на более мощные обсуждаемые здесь, если да, то на какие (с нюансами по замене, как я понимаю прийдётся менять трансформатор питания и радиаторы) ? Спасибо !

[Антиламповик]

А какие мнения по поводу предвыходных транзисторов? У Моторолы с этим похуже. Какие есть толковые альтернативы 2SC4793/2SA1837 и 2SC5171/2SA1930 (последние сложно достать оригинальными)? Нашёл 2SC4883/2SA1859. Есть опыт их использования?

[Костя Мусатов]

2SC5171/2SA1930 (последние сложно достать оригинальными)?

В Чипе покупались оригинальные, брали сразу сотню, они были в заводской упаковке.

[AudioKiller]

"Ужасание" от нелинейности выходного каскада происходят ИМХО по следующим причинам:

1. У старых транзисторов с ростом тока падал коэф-т передачи, и у выходных "двоек" просто не хватало усиления, отбирался весь ток у УН.
2. Нелинейность передаточной характеристики в АВ:


3. (ИМХО самое на самом деле важное) "Переключательные" искажения не отрабатываются медленным усилителем и приводят к росту динамическим искажениям.

Т.е. речт идет на о самом ВК отдельно, а о работе каскада в (довольно кривом) усилителе

[scsml]

Можно ли заменить 200/1529 на 201/1530 или 2SK1058/2SJ162 не трогая схемы?
Если да, стоит ли разница, чтобы ради нее возиться?

[sia_2]

200/201 и 1529/30 - практически одно и то же.

[FEDGEN]

В основном использую MJ15024/15025.В однотакте первый раз поставил 2sc3264,2sc2921в выходном генраторе тока.Санкены очень нравятся ,хотя в пром унч звучат на мойух хуже (песочек на вч и низ пустоватый) чем моторолки. Следующая версия будет с мторолками MJ15027, MJ15025.Вот и сравню.Режим санкенов ;-+18В пит,1А ток покоя.