Приветствую!
Раньше помоему тут небыло темы в которой обсуждались бы только ИБП и преобразователи напряжения.
Щас меня интересует эта схема полумостового ИБП
Приветствую!
Раньше помоему тут небыло темы в которой обсуждались бы только ИБП и преобразователи напряжения.
Щас меня интересует эта схема полумостового ИБП
Последний раз редактировалось лысый; 09.03.2007 в 19:59.
степень насыщения поддерживается на приемлемо-стабильном уровне, и диктатором в этом деле выступает виток ПОС. Не насилуя при этом управляющую цепь. Классический магнито-транзисторный ключ, с чем тут пытается спорить факел, срываясь на частности – непонятно.
thickman, к-т насыщения там как раз ничем не стабилизируется - всё как в обычном (токовом) управлении.
Что мешает базам потреблять столько тока, сколько они захотят, не ограничившись потреблением от ПОС, а "насилуя" первичку?
---------- Сообщение добавлено 13:45 ---------- Предыдущее сообщение было 13:44 ----------
Там большой запас
Удерживает насыщение на небольшом уровне
---------- Сообщение добавлено 13:46 ---------- Предыдущее сообщение было 13:45 ----------
Там большой запас
Удерживает насыщение на небольшом уровне
это ты у факела научился упорствовать в своем непонимании работы такой схемы?
во вторичной обмотке управляющего транса 9 витков. в обмотке ПОС 2 витка. что дает офигенно стабильное отношение тока коллектора к току базы 4,5.
смысла приводить цитаты от факела не вижу, так как в каждом его предложении содержится бред и ахинея.
а назвать лысого дилетантом - это вообще предел наглости.
факел, тебе до лысого, как от земли до неба. и твои знания (которые правильные знания) составляют каплю от океана знаний лысого.
Фарш невозможно провернуть назад,
И мяса из котлет не восстановишь...
Но это же не к-т насыщения, который есть, цитирую, "отношение тока базы биполярного транзистора в открытом состоянии к значению тока базы, при котором рабочая точка транзистора переходит из активной области на границу насыщения области". То есть при заданных Ib, Ic и H21э в пределах 8..16 к-т насыщения будет равен 1..2. Кстати, по моим данным, там 8 и 1 виток.
zoog, я сейчас сделаю очень умное лицо, умнее чем у факела даже, и спрошу, - а будем учитывать разные эффекты с красивыми названиями, сильно влияющие на H21? Эффект Кирка, эффект Эрли, температуру, наконец? Попытка застабилизировать именнна степень насыщения – это параноидальный психоз.
Не спорю.
Давайте, я как раз хочу
---------- Сообщение добавлено 16:50 ---------- Предыдущее сообщение было 16:49 ----------
А с общим коллектором не? Как раз стабилизация Uкб
---------- Сообщение добавлено 16:51 ---------- Предыдущее сообщение было 16:50 ----------
А первичка сколько витков, стесняюсь спросить?
---------- Сообщение добавлено 16:51 ---------- Предыдущее сообщение было 16:51 ----------
Где амперы - в первичке?
---------- Сообщение добавлено 16:52 ---------- Предыдущее сообщение было 16:51 ----------
Ок, дилетанта беру назад, остальное верно
---------- Сообщение добавлено 16:54 ---------- Предыдущее сообщение было 16:52 ----------
Тогда на малых оборотах снижается КПД
На малых токах всё равно желательно поддать джазу, ведь есть ещё одна левая ветвь - ток намагничивания токового трансика. Поэтому опытный разработчик не станет перекрывать ток управления конденсаторами, правильнее было бы оптимизировать этот ток управления. Факел, опять в сторону уводите.
Вообще-то , такая схема пропорционально-токового управления как раз и стабилизирует насыщение - удерживая отношение токов базы и коллектора на одном уровне независимо от тока нагрузки . Я , например , когда делал такие схемы - всегда делал отношение токов 1/5 , и всегда всё нормально работало . И ещё одно полезное свойство таких схем , кроме гальванической развязки силовых цепей от схем управления - транзистор с трансом приобретает свойства такого "запираемого тиристора" , то есть включается от "щелчка" , одним коротким импульсом в обмотку управления , а глушится - корочением той же обмотки маломощным транзистором .... притом там сразу после закорачивания начинается "разворот" в обратную сторону из-за индуктивного тока транса , который меняет полярность на обмотках - и поэтому параллельно управляющему транзистору надо ставить диод . Очень хорошая штука , это токовое управление ... и надобно сказать , что во многих случаях , особенно при высоком напряжении на ключе - транзистор с токовым трансом , ИМХО , выгоднее высоковольтного полевика ....
Ну, гура твоего уровня могла бы и знать, что для ограничения глубины насыщения биполярного транзистора нужно фиксировать не кратность тока коллектора к току базе, а напряжение на коллектор-эмиттер, чтобы оно не упало ниже чем база-эмиттер, ну или не сильно ниже. Но гура чего-то явно не того то ли обчиталась, то ли обсмотрелась на ютубе.
Вообще-то , гура моего уровня в курсе , что при напряжении коллектора , равном базовому ( или чуть ниже ) - транзистор всё ещё находится в линейном режиме , а не в насыщении Такой режим работы называется "барьерным" , и есть много схем , где транзисторы в таком режиме усиливают , генерируют , итд . И так же есть известный способ ускорения работы импульсных каскадов , когда между базой и коллектором кремниевого транзистора включают диод Шоттки ( или германиевый ) , именно чтобы не давать транзистору вообще заходить в насыщение , работать "на грани" - чтобы не нужно было рассасывать заряд базы , тогда время выключения уменьшается в разы .
Ну а в силовых каскадах такой метод обычно не используют , именно из за слишком большого остаточного напряжения , то есть больших статических потерь . Так что там идут сознательно на то , чтобы транзистор загнать таки в насыщение - когда напряжение коллектора уже "упёрлось в дно" .... но при этом - не позволять насыщаться слишком глубоко , тогда компромисс между статическими и динамическими потерями будет оптимальным . Ну а как это сделать , если обратную связь по напряжению коллектора уже устроить нельзя ? А вот так и сделать - контролировать ОТНОШЕНИЕ токов базы и коллектора во всём диапазоне токов , что собственно схема пропорционально-токового управления и делает
http://kazus.ru/forums/showthread.php?t=113202 - только там часть наиболее информативных постов с картинками genao потёр почему-то.. Но насчёт конденсатора нетрудно и самому посчитать, воспользовавшись законом Ома.
Есть давно уже схема с ненасыщаемым ключом и диодами.
Во вторичке коммутирующего транса. 600Вт/100В=6А, делим на к-т трансформации 8, получаем ампер почти, а ещё есть ШИМ.
---------- Сообщение добавлено 05:19 ---------- Предыдущее сообщение было 05:15 ----------
Ну ты букварь хоть почитай: http://interlavka.narod.ru/stats03/imp01.htm
Хотя там проп-токовое и не описано, но по схеме видно, кто когда закрывается.
---------- Сообщение добавлено 05:23 ---------- Предыдущее сообщение было 05:19 ----------
Плюсую! Там можно даже деттайм сделать простым закорачиванием, и после снятия закоротки будет открываться всегда противопололожный транзистор, если индуктивности рассеяния силовика хватит, чтобы по окончании деттайма пнуть ВК в обратном направлении
---------- Сообщение добавлено 11:45 ---------- Предыдущее сообщение было 11:43 ----------
Именно! И чтобы ток этого диода шел также через токовую обмотку управляющего транса, а не в обход
---------- Сообщение добавлено 11:46 ---------- Предыдущее сообщение было 11:45 ----------
Как ТОК можно перекрыть кондером? А диоды, шунтирующие оный, на что?
---------- Сообщение добавлено 11:47 ---------- Предыдущее сообщение было 11:46 ----------
Так общий коллектор в помощь. Uкб=Uдрайвера-Uсиловой рельсы
---------- Сообщение добавлено 11:49 ---------- Предыдущее сообщение было 11:47 ----------
Есть, конечно, но лишние детальки...
---------- Сообщение добавлено 11:50 ---------- Предыдущее сообщение было 11:49 ----------
Маленький Ктр. Uдрайвера=20В, Uбэ=0.7В, Ктр=20/0.7=30
---------- Сообщение добавлено 11:52 ---------- Предыдущее сообщение было 11:50 ----------
Снизу постучали В смысле уровень дна зависит от степени насыщения. Так что компромисс и еще раз компромисс
Социальные закладки