Hi-Fi на полевиках

[Ku777]

Собрал усилитель Hi-Fi из журала "Радиолюбитель7/99". Выходные полевики заменил на пару 2sk1058, 2sj162. На вход поставил Bf422-423. Предвыход 2sb649, 2sd669. Резистор R21 заменил на 47 ом... Что можно ещё улучшить???

[MAXIM_A]

Собрал усилитель Hi-Fi из журала "Радиолюбитель7/99". Выходные полевики заменил на пару 2sk1058, 2sj162. На вход поставил Bf422-423. Предвыход 2sb649, 2sd669. Резистор R21 заменил на 47 ом... Что можно ещё улучшить???

Из-за замены транзисторов надо убрать D3, D4.

[Ku777]

Добавил схемку и печатку

[25602]

Из-за замены транзисторов надо убрать D3, D4.

можно убрать также d5-d8

[Ku777]

Из-за замены транзисторов надо убрать D3, D4.

Тоесть как убрать??? А как же термостабилизация??? За счёт чего она будет???

[Костя Мусатов]

Для этих полевиков не нужны истоковые рзисторы по 0.47 Ома, они итак термически устойчивы.
А что не нравится в работе усилителя, что хочется улучшить "по жизни"?
Диоды 3 и 4 оставь, но повесь на драверные транзисторы, а не на выходные.

[witali]

Ламерский вопрос (поперся с свинным рылом в калашный ряд) а затворные резюки- 220 ом не много?
и еще вопрос, не лучше ли будет Д5 Д7 д8 д6 перенсти к затворам?

[Black_Panther]

Тоесть как убрать??? А как же термостабилизация??? За счёт чего она будет???

У 2SK1058\2SJ162 диоды и стабилитроны (D5...D8) стоят внутри (см. даташиты, они рулез).

а затворные резюки- 220 ом не много?

Нормально.Можно поставить и 100, но тогда утапливаем ноги в плату до упора,резисторы берем SMD и компоновка платы должна быть удачной,если там будут длинные выводы и контура то в лучшем случае уши упадут на пол через 5-10 минут прослушки и останется подключить осц и глянуть, что мы наловили, а в худшем случае увидим, как замечательно и быстро вылетают полевики за триста рублей.

Что можно ещё улучшить???

Как что?А теперь ставим на вход 2SA970 и возможно не захочется возвращаться назад к другим.
Кстати, интересно - как чувствует себя Т9 без коррекции?

[Ku777]

Диоды 3 и 4 оставь, но повесь на драверные транзисторы, а не на выходные.

Так и сделано, верхний слой платы метализированный, образует экран.. К нему и прикручены транзисторы Т9,Т10, рядом с ними и диоды...

А что не нравится в работе усилителя

Звук приятный, мягкий, но мне кажиться мало баса..

как чувствует себя Т9 без коррекции?

А как должен чувствовать???

[Elms]

...Как что? А теперь ставим на вход 2SA970...

А какая комплементарная пара для этих транзисторов?
в даташите нету.....

[az967]

А какая комплементарная пара для этих транзисторов?
в даташите нету.....

2SC2240

[Ku777]

Резисторы R23,R24 уменьшил до 100 ом, транзисторы поставилT7,T8- Bc639-640

[MAXIM_A]

Звук приятный, мягкий, но мне кажиться мало баса..

Померить есть чем: TND, IMD
Интересно что там получается в цифирах?
И как-бы сделать схему инвертирующей.

[Ku777]

Померить есть чем: TND, IMD

Померить нечем, есть только осцилограф и компьютер...Вот фото пробного варианта...

[fox2005]

Ламерский вопрос (поперся с свинным рылом в калашный ряд) а затворные резюки- 220 ом не много?

http://www.national.com/an/AN/AN-1645.pdf
https://forum.vegalab.ru/showthread....63&postcount=1

[SMD-n]

http://www.national.com/an/AN/AN-1645.pdf

RENESAS 2SK1058/2SJ162 PAIR
The 2SK1058/2SJ162 pair were biased at 115mA for the output
stage. The 115mA bias current was very stable with
changes in case temperature. A benefit of these Renesas
devices is the integration of gate protection diodes eliminating
the need for external gate protection components. The gate
resistor values were determined by overdriving with a square
wave and adjusting their value until the rising and falling
edges were as linear as possible while maintaining stability.
For these devices the gate resistors were 190Ω - 210Ω on the
N-channel FET and 240Ω - 330Ω for the P-channel FET.


Это?

[CS-A]

RENESAS 2SK1058/2SJ162 PAIR
The 2SK1058/2SJ162 pair were biased at 115mA for the output
stage. The 115mA bias current was very stable with
changes in case temperature. A benefit of these Renesas
devices is the integration of gate protection diodes eliminating
the need for external gate protection components. The gate
resistor values were determined by overdriving with a square
wave and adjusting their value until the rising and falling
edges were as linear as possible while maintaining stability.
For these devices the gate resistors were 190Ω - 210Ω on the
N-channel FET and 240Ω - 330Ω for the P-channel FET.

Здесь не опечатка с номиналами резисторов? Чтобы одинаковые тау получить и соответственно частоты, должно быть наоборот ~300 для N-chennel (C=600pF) и ~200 для P-chennel (C=900pF).

[Ulis]

Видел единственный раз реализацию гейтовых резисторов для этих латералов согласно рекомендациям.
Обчно они в районе 200-250 ом и для N- и для Р-.

[CS-A]

Видел единственный раз реализацию гейтовых резисторов для этих латералов согласно рекомендациям.
Обчно они в районе 200-250 ом и для N- и для Р-.

Я тоже кучу схем видел с одинаковыми резисторами в гейтах.
Но в симуляторе прямоугольник более симметричным получается при разных резисторах (одинаковых тау).

[Elms]

А я видел, что в в параллель затвор-исток вешают емкость на транзистор с меньшей входной емкостью, чтобы добрать до входной емкости большего (для баланса).
А почему на выход не воткнуть 2SK1530 / 2SJ201?
А вот пара от RENESAS сильно хуже чем хитачи по отдельности? Именно пара...