Страница 3 из 3 Первая 123
Показано с 41 по 46 из 46

Тема: Доработка "китайца"

  1. #1 Показать/скрыть первое сообщение.
    Новичок
    Автор темы
    Аватар для Yngwie
    Регистрация
    04.07.2018
    Сообщений
    10

    По умолчанию Доработка китайца

    Всем доброго времени суток.
    Хотелось бы услышать ваше мнение по поводу китайского усилителя, заказанного через "Али"
    А именно:
    отсутствие в нём обратной связи
    по рекомендации самого продавца, ток покоя установил - 150мА ( при этом сильно греются предвыходники и выходники - IRFP240 IRFP9240)
    есть мысль добавить ему ещё по паре выходных - IRFP240 IRFP9240
    нужно ли что то доработать в нём (добавить, убавить)
    Заранее благодарен за отзывчивость, и ваши советы
    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	HTB1.h3KRVXXXXasXpXX760XFXXX2.png 
Просмотров:	1321 
Размер:	107.6 Кб 
ID:	323499
    A3.pdf
    Последний раз редактировалось Yngwie; 04.07.2018 в 07:54.

  2. #41
    Завсегдатай Аватар для uriy61
    Регистрация
    02.07.2013
    Адрес
    Москва
    Сообщений
    2,070

    По умолчанию Re: Доработка китайца

    Да верно, j-fet. Исправил. Второй и третьей методики нет, есть одна-вторая. А по крутизне тоже отбор идет. В группу один, например попали транзисторы с падением напряжения С-И 2,8-3,0В, в группу два - 3,1-3,3В. Т.е. в группу один попались более "крутые".
    Последний раз редактировалось uriy61; 12.07.2018 в 07:22.

  3. #42
    Завсегдатай Аватар для Гоша
    Регистрация
    21.01.2004
    Адрес
    Москва
    Возраст
    66
    Сообщений
    3,607

    По умолчанию Re: Доработка китайца

    Цитата Сообщение от uriy61 Посмотреть сообщение
    Второй и третьей методики нет, есть вторая.
    Ну, жирным выделено три раза, я и посчитал 123.
    Ну и написал, что это одно и то же.
    Кстати, еще один важный момент.
    Неплохо бы иметь p и n канальные MOSFETы с одинаковыми напряжениями отсечки. Это сильно облегчит работу всего усилителя.

  4. #43
    Металист
    Гость

    По умолчанию Re: Доработка китайца

    Цитата Сообщение от Yngwie Посмотреть сообщение
    есть мысль добавить ему ещё по паре выходных - IRFP240 IRFP9240
    нужно ли что то доработать в нём (добавить, убавить)
    Мое мнение таково: не нужно мучать усилитель, рассчитанный на работу с ООС всякими ненужными ему доработками. Сделайте нормальный усь без ООС, который спроектирован под такие условия работы. И будет щастье. А в этот введите резик 51к на ООС и блокирующую RC цепочку 1к + 33мкФ. и тожэ будет щастье.

  5. #44
    Новичок
    Автор темы
    Аватар для Yngwie
    Регистрация
    04.07.2018
    Сообщений
    10

    По умолчанию Re: Доработка китайца

    Цитата Сообщение от uriy61 Посмотреть сообщение
    Это как раз решается схемотехникой усилителей, например в том же Yes. Комплементарные они все условно и разработчик про это знает и учитывает.
    Подбор однотипных транзисторов параллельных в 2-3-4-5 делать можно и нужно.

    ---------- Сообщение добавлено 18:01 ---------- Предыдущее сообщение было 17:58 ----------


    Зависит от возможностей драйверного каскада.
    Драйверный каскад представлен на схеме

    ---------- Сообщение добавлено 05:14 ---------- Предыдущее сообщение было 05:11 ----------

    Цитата Сообщение от Гоша Посмотреть сообщение
    Нет никакой методики в #34. Какое напряжение? Какова схема включения при подборе?
    Я также просмотрел все сообщения Maxim_A - ничего похожего на методику подбора не нашел.

    ---------- Сообщение добавлено 22:31 ---------- Предыдущее сообщение было 21:08 ----------


    Можно.
    Только при запараллеливании лучше применить 640/9530. Это уменьшит суммарную емкость затвора и облегчит работу драйверного каскада.

    ---------- Сообщение добавлено 22:40 ---------- Предыдущее сообщение было 22:31 ----------

    uriy61,
    Разберем эти методики подробно.
    Первая годится только для j-FET транзисторов, то есть для полевых транзисторов с pn переходом. Для MOSFET не годится от слова совсем, MOSFET при таком включении просто не откроется. Впрочем, это все написано у Н. Паса.
    Вторая и третья суть одна и та же, но для MOSFET разной структуры. Это измерение напряжения отсечки. Важный параметр при запараллеливании. Кстати, совсем необязательно делать это при больших токах, напряжение отсечки практически не зависит от тока стока.
    Но как быть с крутизной? Это же тоже очень важно. А ее измерить для MOSFET весьма проблематично.
    И вероятность подобрать транзисторы и по напряжению отсечки, и по крутизне очень мала.
    Поэтому на подбор по крутизне придется забить.
    у меня к Вам огромная просьба:
    Не могли бы Вы накидать в схеме изменения, которые по Вашему мнению помогут добиться желаемой цели

  6. #45
    Завсегдатай Аватар для uriy61
    Регистрация
    02.07.2013
    Адрес
    Москва
    Сообщений
    2,070

    По умолчанию Re: Доработка китайца

    Правильно это когда все измнения в схеме усилителя анализируют в симуляторах. Я этим не владею. Могу только в железе измерить искажения. Совет дам один, когда будешь четверки мастырить - затворные резисторы должны быть припаяны непосредстенно к затворам и только потом проводок к выходу драйверного каскада. Про истоковые резисторы такого требования не встречал. Да и транзисторы четверки должны располагаться рядом, хотя с точки зрения теплоотдачи это сильно хуже.
    ПС "четверка" это транзисторы одной проводимости, а не 2шт. P и 2шт. N.
    Исчезаю на месяц, занят буду.
    Последний раз редактировалось uriy61; 12.07.2018 в 08:45.

  7. #46
    Завсегдатай Аватар для Гоша
    Регистрация
    21.01.2004
    Адрес
    Москва
    Возраст
    66
    Сообщений
    3,607

    По умолчанию Re: Доработка китайца

    Цитата Сообщение от Yngwie Посмотреть сообщение

    накидать в схеме изменения, которые по Вашему мнению помогут добиться желаемой цели
    Ничего там менять не надо.
    И какова желаемая цель?
    Какие транзисторы стоят Q13 и Q14?
    На них рассеивается около ватта мощности, это уже очень горячо, если транзисторы не на радиаторе. Их надо хотя-бы на небольшую алюминиевую пластину (каждый).
    И прислушаться к рекомендациям uriy61 по расположению затворных резисторов.

Страница 3 из 3 Первая 123

Социальные закладки

Социальные закладки

Ваши права

  • Вы не можете создавать новые темы
  • Вы не можете отвечать в темах
  • Вы не можете прикреплять вложения
  • Вы не можете редактировать свои сообщения
  •