Простой УМЗЧ с неглубокой общей ООС

[Olegyurich]

Хочу обсудить такую вот схемку - что в ней можно улучшить или изменить без серьезного усложнения. В симуляторе дает достаточно неплохие результаты - для меня. Непонятно, почему при увеличении R31 возрастают искажения. Выкладываю схему и микрокаповский файлик.

[ИГВИН]

Напротив КП920, который имеет вертикальную структуру канала, у него с истоком связан корпус.

Совершенно верно! Этот и еще кажется 928 933 имеют исток на корпусе. Сдается мне, что кристалл внутри на керамике, а исток искусственно посадили на корпус, поскольку это военка для радиостанций, и там это удобно.
Кстати, где Вы видели КП920, и в каком корпусе? они должны быть в КТ-61 стеклокерамика. И только 2П.
С уважением

[DigBit]

На самом деле вопрос не так прост и распадается на два - какой электрод соединен с "дном" кристалла и какой электрод соединен с корпусом. Корпуса, как известно, бывают изолированные (когда кристалл сидит на прослойке из бериллиевой или алюмонитридной керамики, как в корпусах мощных ВЧ транзисторов) и неизолированные (ТО-3, например). С "дном" кристалла соединен сток всех ДМОП (HEXFET) транзисторов, а также большинства низковольтных V-МОП и T-MOS транзисторов, коллектор биполярных транзисторов. Высоковольтные (выше 50-100В) V-МОП и T-MOS транзисторы технологически удобнее делать с "обращенной" структурой, когда сток сверху кристалла, а на "дне" - исток. У горизонтальных МОП (LMOS) дно кристалла всегда связано с подложкой, и ее соединяют с истоком. Соответственно, ясно, с чем будет связан неизолированный корпус. В изолированном - как пожелает заказчик. Существует также возможность изоляции "дна" кристалла транзистора от неизолированного корпуса введением еще одного p-n перехода, образующего запертый в нормальных условиях диод, как в микросхемах, но тогда корпус все равно надо подключать к наиболее отрицательному (NPN, N-канал) или наиболее положительному (PNP, P-канал) потенциалу схемы, чтобы этот p-n переход не открывался и не нарушал работу транзистора. Так, например, изолированы от корпуса выходные транзисторы LM3886, LM4780 и TDA739x. В дискретных транзисторах такой способ применяется только по особому заказу, не в серийной продукции. Для желающих подробнее изучить конструкцию полупроводниковых приборов - см. нестареющую монографию С. Зи (S. Sze) или учебник от T. Muller, S. Kammings (Маллер, Кейминс). Эти книги у нас (пусть и не в последних изданиях) были переведены, поищите в инете ссылки по авторам.

[DigBit]

R30 вообще не нужен, а искажения при увеличении R31 растут из-за банальной нелинейности входного сопротивления. Лечится установкой на входе эмиттерного повторителя, нагруженного на источник тока.

[ADDED=DigBit]1119284689[/ADDED]

И только 2П.

КП920 реально существуют, как не прошедшие спец. приемку 2П920, отбраковка ведется как
правило по критерию усиления на рабочей частоте.
КП920 можно найти в справочниках, например в электронном справочнике: Справочник по
полупроводниковым приборам. ТОМ 6 Версия 1.02. Шульгин О.А. Воробьев А.Б.
Только там опечатка, поэтому в поиске сперва введите 2П920А,Б и на той же странице увидите
дубли КП920А,Б. От 2П920, они отличаются именно усилением на рабочей частоте.
Так-же КП920 можно увидеть в справочнике В.Р.Козака http://www.radio.izobilny.ru/spraw/pt/pth13.htm
И в Яндексе, страниц двадцать, про КП920.

Точнее не убирать R30, а присоединить эмиттер Q15 к коллектору Q20.

[ИГВИН]

Точнее не убирать R30, а присоединить эмиттер Q15 к коллектору Q20.

А R30 перенести в эмиттер Q20.

Offтопик:

КП920 реально существуют

Спасибо за развернутую информацию.

Offтопик:
Олег, вместо R31 лучше установить выходной импеданс генератора этой же величины, будет точнее.

[DigBit]

А R30 перенести в эмиттер Q20.

Термостабильность будет хуже, линейность из за еще большей асимметрии плеч, так-же пострадает.
В симуляторе в Вашем варианте, искажения составили: 0.635%, в оригинальной схеме: 0.646% в предложенной
мной: 0.118%

При F = 1 кГц, U = 10 В, Rн 4 Ом, I пок. 140 мА.

[ИГВИН]

В симуляторе в Вашем варианте, искажения составили: 0.635%, в оригинальной схеме: 0.646% в предложенной
мной: 0.118%

А по спектру гармоник? Короче-длиннее? Примерно такой же прогресс?

Offтопик:
Комп вполсвиста работает, раньше четверга программ не будет, сам не могу посмотреть

[Olegyurich]

ИГВИН,DigBit:
Вы про последнюю схему? R31 я там не вижу .

А R30 перенести в эмиттер Q20.

он вроде и так в эмиттере.
Откуда такой большой Кг? Я же привел спектры..
выкладываю последний вариант, покритикуйте его.

[yan]

Последовательно с R38 можно поставить транзистор в диодном включении.
Получится токовое зеркало с усилением, так линейнее будет.

Еще, я бы попробовал подгрузить выход УН резистором с коллектора Q9 на землю. I-U преобразовывать на последовательных R12 и Q14 - не хорошо.

[Olegyurich]

в принципе я и то и другое пробовал. На токовое зеркало нужно большее напряжение, следовательно на базе Q8 будет большее напряжение, которое надо куда-то девать.
Резистор с коллектора Q9 я тоже ставил, разницы не заметил, только ток ТЗ больший нужен.
Возможно на практике это все поможет, большое спасибо.

[ИГВИН]

Олег, вот здесь https://forum.vegalab.ru/showthread....7772#post57772 и далее я отрабатывал схему УН для жестких условий, т.е. низкоомной нагрузки. Может, что оттуда возьмешь?

Offтопик:
Да, я тут тупо из первого поста схему обсуждаю... R31 оттуда имелся ввиду.

С уважением

[Olegyurich]

А конкретно в каком посте схема?

[Maniac]

Интересно заведен C7. Для чего?
Включение уся будет с заметным "хлопком". Желательно сделать задержку подключения АС, если эта схема будет в "железе".
А дифкаскад можно нагрузить на токовое зеркало, уж точно хуже не станет ;)

[ИГВИН]

А конкретно в каком посте схема?

https://forum.vegalab.ru/showthread....2530#post52530
Вот такая схема у меня работает в неск. экземплярах хорошо. Для неё и прорабатывалось...

[Olegyurich]

Желательно сделать задержку подключения АС, если эта схема будет в "железе".

Наверное так и будет.

Интересное включение C7.

К электролиту должно быть приложено постоянное напряжение - вот я его туда и прицепил.

А дифкаскад можно нагрузить на токовое зеркало, уж точно хуже не будет ;)

я пробовал - лучше тоже не становиться - усиление там нужно маленькое, амплитуда тоже, только лишние детали(по крайней мере в симуляторе я преимуществ не заметил).

[ИГВИН]

ОЛЕГ, из каких соображений выбран номинал R2 R3?
Я исследовал поведение дифкаскадов при разных токах покоя и при разных номиналах этих резисторов. Величина от 47 Ом и более дает оч. хорошую линейность. Дальнейшее увеличение резисторов местной ООС делает заметным шумы первого каскада. Усиление ессно тоже падает, из-за уменьшения крутизны. В общем сделал вывод, что на этих резисторах не должно быть слишком большого падения напряжения.

[Olegyurich]

Во-первых, для получения нужного входного сопротивления( я хотел получить 51 ком параллельным соединением ДК и резистора на землю, следовательно получается для ДК 100 кОм), отсюда минимальное сопротивление каждого из резисторов 150 Ом.
Во-вторых, я использую индуктивную коррекцию из усилителя Токарева и не знаю как ее пересчитать под мееньшие сопротивления эмиттерных резисторов.
В-третьих, линейность лишняя не помешает, а шумы получатся все равно низкие.
Спасибо.

[DigBit]

А по спектру гармоник? Короче-длиннее? Примерно такой же прогресс?

Длинный спектральный хвост в данном каскаде, при прочих равных условиях, ни куда
не денется, так как порождается переключением плеч, как был класс АB, так он и остался.
В предложенном Вами варианте, спектр не короче, а искажения больше.

Откуда такой большой Кг? Я же привел спектры..

Все что было сказано, относится к схеме в Вашем первом посте.
Приведенные мной цифры, это результат моделирования выходной двойки и хороше согласуются
с тем, что я неоднократно наблюдал в железе.

[DigBit]

Ввел резистор 2.2 Ом в эмиттер Q15, искажения упали до 0.068%
EWB файл попробую выложить.

[ADDED=DigBit]1119385881[/ADDED]
Ошибка загрузки.

[ИГВИН]

DigBit,
может в RAR-е файл в виде *.wmf

[DigBit]

Кажется получилось.