Сообщение от
теоретизирующий практик
Судя по активности в обсуждении, можно допустить, что всё это всем давно известно. Так дали бы ссылку.
Более подробно о настройках.
Пусть в уравнении Эберса-Молла для транзисторов ядра схемы Т6/Т7 напряжение Ut=25mV
График крутизны S одного плеча, например Т6, с эмиттерным резистором R11 имеет вид кривой. Причём слева, в области минимальных токов, крутизна приближается к нулю, из за резкого снижения крутизны транзистора. Справа, в области очень больших токов крутизна транзистора приобретает высокие значения, но резистор R11 ограничивает предел увеличения крутизны величиной "крутизны" R11, обратной сопротивлению резистора. В точке перегиба крутизна имеет максимальную нелинейность, но это нелинейность исключительно второго порядка. Нелинейности высших порядков в точке перегиба отсутствуют.
Эта точка соответствует режиму, при котором динамическое сопротивление резистора R11 в два раза меньше динамического сопротивления эмиттера rэ.
R11=1/2rэ
Можно описать этот режим и по другому: эта точка соответствует режиму, когда падение напряжения на R11 в ва раза меньше Ut.
U(R11)=1/2Ut ----> U(R11)=12,5mV
При параметрах сшивки с меньшим падением напряжения на R11/R12 график зависимости крутизны имеет одну точку экстремума с наименьшей крутизной при токе покоя.
При параметрах сшивки с большим (до определённого предела) падением напряжения на R11/R12 - на этом графике имеет место волнистость с тремя точками экстремума.
Например, при падении напряжения на R11/R12 U(R11/R12)=13,5mV - отклонение динамической крутизны вызывает НИ значительно меньше 0,1% во всём рабочем диапазоне токов с пиковом током нагрузки до двухкратного от токов покоя. Равноценно 100% раскачке в абсолютном классе А. Но здесь имеется возможность ещё больше расширить динамический диапазон за счёт небольшого увеличения НИ. И это, фактически, без ООС.
Социальные закладки