Сдается мне, что при "кз" на выходе ко входу LM317 успеет приложиться все 240 вольт пока не отреагирует MOSFET. Наверное, за это время микросхема "погибнет" по превышению в 7 раз допустимого входного...
Тип: Сообщения; Пользователь: NeonS
Сдается мне, что при "кз" на выходе ко входу LM317 успеет приложиться все 240 вольт пока не отреагирует MOSFET. Наверное, за это время микросхема "погибнет" по превышению в 7 раз допустимого входного...
Интересно, что будет с LM317 при "случайном" кз по выходу?
Вот предварительный "набросок" - кому любопытен резонансный источник питания. Сразу хочу заметить, что подобная топология имеет (как всегда) следующий недостаток - конвертер является источником...
Хорошо, скоро выложу расчеты со схемой.
Нет, дорогой IVX, тут работает теория устойчивости систем Найквиста. Квантование по Шенонну - задача из информатики.
Утверждение, что полоса обратной связи должна быть в 6-10 раз меньше, чем основная частота преобразователя - не более чем эмпирически выведенное утверждение, основанное на безрадостной практике:-) ....
Chip_ed, ты говоришь, что 3 экземпляра уже собраны. Они работают? Если работают, то что не устраивает? Те предложения, которые ты запостил я могу прокомментировать:
1. Увеличение С10 имеет смысл....
Обратная связь в источнике питания - явление всегда компромиссное и проблемное. Полоса ее (обратной связи) теоретически должна быть в 6 раз меньше частоты преобразования. В жизни обычно хорошо, если...
Именно полумост, желательно резонансный (full soft switching), без обратной связи, со скважностью 2 (duty cycle = 0.5). Тогда получим минимум переключательных шумов, очень высокий кпд, малый нагрев...
Как пишут обычно в литературных произведениях: "все хорошо, кроме одного - ..." Итак, драйвер мощных MOSFET-ов не совсем правильный. Во-первых он инверсный, во-вторых VT7(VT8) не откроются полностью...
Судя по исправленной схеме, ты попытался перейти на полный мост. Но управление транзисторами, к сожалению, неверное. Для того, чтобы транзисторы в верхнем плече открывались, их гейты нужно "задрать"...
Еще как надо разряжать. Представленная схема управления "батареей" MOSFET-ов по сути порочная: в их входные гейтовые емкости загоняют ток, а разряд оставлен на волю процессов утечек? Странный способ....